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1. WO2008005756 - APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SES PROCÉDÉS

Numéro de publication WO/2008/005756
Date de publication 10.01.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/072157
Date du dépôt international 26.06.2007
CIB
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
H01J 37/32623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32623Mechanical discharge control means
H01J 37/32642
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32623Mechanical discharge control means
32642Focus rings
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US] (AllExceptUS)
  • DHINDSA, Rajinder [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • DHINDSA, Rajinder
Mandataires
  • NGUYEN, Joseph, A
Données relatives à la priorité
11/428,15530.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS FOR SUBSTRATE PROCESSING AND METHODS THEREFOR
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SES PROCÉDÉS
Abrégé
(EN)
A method for processing a substrate in a plasma processing chamber. The substrate is disposed above a chuck and surrounded by an edge ring while the edge ring being electrically isolated from the chuck. The method includes providing RF power to the chuck and providing an edge ring DC voltage control arrangement. The edge ring DC voltage control arrangement is coupled to the edge ring to provide first voltage to the edge ring, with the edge ring potential being one of a positive potential, a negative potential and a ground. The method further includes generating a plasma within the plasma processing chamber to process the substrate. The substrate is processed while the edge ring DC voltage control arrangement is configured to cause the edge ring potential to be less than a DC potential of the substrate in an embodiment and to be substantially equal to the DC potential of the substrate in another embodiment.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement de substrat dans une chambre de traitement au plasma. Le substrat est disposé au-dessus d'un mandrin et entouré par une bague périphérique, la bague périphérique étant isolée électriquement du mandrin. Le procédé consiste à fournir une puissance HF au mandrin et concevoir un dispositif de contrôle de tension CC à bague périphérique. Le dispositif de contrôle de tension CC à bague périphérique est couplé à la bague périphérique pour acheminer une première tension à la bague périphérique, le potentiel de bague périphérique étant un potentiel positif, un potentiel négatif ou une masse. Le procédé consiste en outre à générer un plasma dans la chambre de traitement au plasma pour traiter le substrat. Le substrat est traité tandis que le dispositif de contrôle de tension CC à bague périphérique est configuré pour conduire le potentiel de bague périphérique à adopter une valeur inférieure à un potentiel CC du substrat dans un mode de réalisation et une valeur sensiblement égale au potentiel CC du substrat dans un autre mode de réalisation.
Également publié en tant que
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