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1. WO2008005754 - RÉACTEUR MODULAIRE CVD EPI 300 MM

Numéro de publication WO/2008/005754
Date de publication 10.01.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/072121
Date du dépôt international 26.06.2007
CIB
C23C 16/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
H01L 21/67017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
H01L 21/67115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67115mainly by radiation
H01L 21/6719
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
6719characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • BURROWS, Brian H. [US]/[US] (UsOnly)
  • METZNER, Craig R. [US]/[US] (UsOnly)
  • DEMARS, Dennis L. [US]/[US] (UsOnly)
  • ANDERSON, Roger N. [US]/[US] (UsOnly)
  • CHACIN, Juan M. [VE]/[US] (UsOnly)
  • CARLSON, David K. [US]/[US] (UsOnly)
  • ISHIKAWA, David Masayuki [US]/[US] (UsOnly)
  • CAMPBELL, Jeffrey [US]/[US] (UsOnly)
  • COLLINS, Richard O. [US]/[US] (UsOnly)
  • MAGILL, Keith M. [US]/[US] (UsOnly)
  • AFZAL, Imran [PK]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • BURROWS, Brian H.
  • METZNER, Craig R.
  • DEMARS, Dennis L.
  • ANDERSON, Roger N.
  • CHACIN, Juan M.
  • CARLSON, David K.
  • ISHIKAWA, David Masayuki
  • CAMPBELL, Jeffrey
  • COLLINS, Richard O.
  • MAGILL, Keith M.
  • AFZAL, Imran
Mandataires
  • PATTERSON, B. Todd
Données relatives à la priorité
11/767,61925.06.2007US
60/818,07230.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MODULAR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) REACTOR
(FR) RÉACTEUR MODULAIRE CVD EPI 300 MM
Abrégé
(EN)
The present invention provides an apparatus for processing semiconductor substrates. Particularly, the present invention provides a modular processing cell. The modular semiconductor processing cell of the present invention comprises a chamber (201) having an inject cap (213) and a gas panel module (207) configured to supply one or more processing gases to the chamber through the inject cap, wherein the gas panel module is positioned adjacent the inject cap. The processing module further comprises a lamp module (203) positioned below the chamber. The lamp module comprises a plurality of vertically oriented lamps.
(FR)
Procédés et dispositifs de traitement de substrats à semi-conducteur. En particulier, cellule de traitement modulaire destinée à être utilisée dans un outil multifonction. Ladite cellule comprend une chambre à capsule d'injection, un module de panneau de gaz conçu pour fournir un ou plusieurs gaz de traitement à la chambre, à travers la capsule, et le module considéré est adjacent à la capsule. La cellule comprend aussi un module lampe placé sous la chambre. Le module lampe comprend plusieurs lampes orientées verticalement.
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