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1. (WO2008005378) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE DE GRILLE POUR DES TRANSISTORS À MODE D'ENRICHISSEMENT DE GROUPE III-V
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/005378    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015225
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 28.06.2007
CIB :
H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
METZ, Matthew, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
DOCZY, Mark, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
DATTA, Suman [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : METZ, Matthew, V.; (US).
DOCZY, Mark, L.; (US).
DATTA, Suman; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.; Blakely, sokoloff, taylor & Zafman Llp, 1279 Oakmead Parkway, Sunnyvale, CA 94805-4040 (US)
Données relatives à la priorité :
11/479,903 30.06.2006 US
Titre (EN) GATE DIELECTRIC MATERIALS FOR GROUP III-V ENHANCEMENT MODE TRANSISTORS
(FR) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE DE GRILLE POUR DES TRANSISTORS À MODE D'ENRICHISSEMENT DE GROUPE III-V
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a transistor having a Group III-V semiconductor substrate with an oxygen-free dielectric disposed between the substrate and a gate is described.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor comportant un substrat semi-conducteur de Groupe III-V incluant un matériau diélectrique exempt d'oxygène disposé entre le substrat et la grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)