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1. WO2008004424 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN, PROCÉDÉ POUR FAIRE CROÎTRE UN CRISTAL D'AlN ET SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN

Numéro de publication WO/2008/004424
Date de publication 10.01.2008
N° de la demande internationale PCT/JP2007/062076
Date du dépôt international 15.06.2007
CIB
C30B 29/38 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38Nitrures
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/203 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
H01L 33/30 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
CPC
C30B 23/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
H01L 21/02378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02378Silicon carbide
H01L 21/0254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
0254Nitrides
H01L 21/02631
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Déposants
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 水原 奈保 MIZUHARA, Naho [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 川瀬 智博 KAWASE, Tomohiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 宮永 倫正 MIYANAGA, Michimasa [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 水原 奈保 MIZUHARA, Naho
  • 川瀬 智博 KAWASE, Tomohiro
  • 宮永 倫正 MIYANAGA, Michimasa
Mandataires
  • 中野 稔 NAKANO, Minoru
Données relatives à la priorité
2006-18445304.07.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PRODUCING SUBSTRATE OF AlN CRYSTAL, METHOD OF GROWING AlN CRYSTAL, AND SUBSTRATE OF AlN CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN, PROCÉDÉ POUR FAIRE CROÎTRE UN CRISTAL D'AlN ET SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN
(JA) AlN結晶基板の製造方法、AlN結晶の成長方法およびAlN結晶基板
Abrégé
(EN)
A process for producing a substrate of AlN crystal that realizes production of a large high-quality substrate of AlN crystal; a method of growing an AlN crystal that realizes growing of a large high-quality AlN crystal; and a substrate of AlN crystal consisting of AlN crystal grown by the growing method. There is provided a process for producing a substrate of AlN crystal, comprising the step of growing on a hetero-substrate an AlN crystal to a thickness of 0.4r or greater in which r means the diameter of the hetero-substrate according to a sublimation method and the step of forming a substrate of AlN crystal from a region of AlN crystal 200 &mgr;m or more apart from the hetero-substrate. Further, there is provided a method of growing an AlN crystal, comprising growing an AlN crystal on the substrate of AlN crystal produced by the above process according to a sublimation method, and provided a substrate of AlN crystal comprised of an AlN crystal grown by the growing method.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de cristal d'AlN qui réalise la production d'un substrat important de haute qualité de cristal d'AlN; un procédé consistant à faire croître un cristal d'AlN qui réalise la croissance d'un cristal d'AlN important de haute qualité; et un substrat de cristal d'AlN consistant en un cristal d'AlN qui a poussé par le procédé de croissance. L'invention concerne un procédé pour fabriquer un substrat de cristal d'AlN, comprenant l'étape consistant à faire croître sur un hétérosubstrat un cristal d'AlN jusqu'à une épaisseur de 0,4 r ou au-dessus, dans laquelle r signifie le diamètre de l'hétérosubstrat selon une méthode de sublimation et l'étape de formation d'un substrat de cristal d'AlN à partir d'une région de cristal d'AlN séparée de 200 &mgr;m ou davantage de l'hétérosubstrat. De plus, l'invention concerne un procédé pour faire croître un cristal d'AlN, comprenant la croissance d'un cristal d'AlN sur le substrat de cristal d'AlN produit par le procédé ci-dessus selon une méthode de sublimation, et l'invention concerne également un substrat de cristal d'AlN se composant d'un cristal d'AlN qui a poussé par le procédé de croissance.
(JA)
 大型で高品質なAlN結晶基板を製造することができるAlN結晶基板の製造方法、大型で高品質なAlN結晶を成長させることができるAlN結晶の成長方法およびその成長方法により成長したAlN結晶からなるAlN結晶基板を提供する。  異種基板上に異種基板の口径rに対して0.4r以上の厚さにAlN結晶を昇華法により成長させる工程と、異種基板から200μm以上離れたAlN結晶の領域からAlN結晶基板を形成する工程と、を含む、AlN結晶基板の製造方法である。また、その製造方法により製造されたAlN結晶基板上にAlN結晶を昇華法により成長させるAlN結晶の成長方法とその成長方法より成長したAlN結晶からなるAlN結晶基板である。
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