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1. WO2008004179 - RÉSEAU 'AND' À MÉMOIRE NON VOLATILE

Numéro de publication WO/2008/004179
Date de publication 10.01.2008
N° de la demande internationale PCT/IB2007/052575
Date du dépôt international 03.07.2007
CIB
H01L 27/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/115 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
G11C 16/04 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
04utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
H01L 21/8247 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
8247programmables électriquement (EPROM)
CPC
G11C 16/0475
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0466comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]
0475comprising plural independent storage sites which store independent data
H01L 27/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
H01L 27/11568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11563with charge-trapping gate insulators, e.g. MNOS or NROM
11568characterised by the memory core region
Déposants
  • NXP B.V. [NL]/[NL] (AllExceptUS)
  • VAN DUUREN, Michiel, J. [NL]/[NL] (UsOnly)
  • VAN SCHAIJK, Robertus, T., F. [NL]/[NL] (UsOnly)
Inventeurs
  • VAN DUUREN, Michiel, J.
  • VAN SCHAIJK, Robertus, T., F.
Mandataires
  • PENNINGS, Johannes, F., M.
Données relatives à la priorité
06116574.204.07.2006EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NON-VOLATILE MEMORY AND-ARRAY AND METHOD FOR OPERATING THE GAME
(FR) RÉSEAU 'AND' À MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé
(EN)
A non- volatile memory cell (50, 75) on a semiconductor substrate includes a first and a second transistor (A, B). Each transistor is arranged as a memory element that includes two diffusion regions (A1, A3; A2, A3) capable of acting as either source or drain, a charge storage element (CEA, CEB) and a control gate element (CG). A channel region is located intermediate the two diffusion regions. The charge storage element is located over the channel region, the control gate element is arranged on top of the charge storage element. One diffusion region (A3) of the first transistor (A) and one diffusion region (A3) of the second transistor (B) form a common diffusion region. The other diffusion region (A1) of the first transistor (A) is connected as first diffusion region to a first bit line, the other diffusion region (A2) of the second transistor (B) is connected as- second diffusion region to a second bit line and the common diffusion region (A3) is connected to a sensing line. A method of operating this non-volatile AND memory is also demibed.
(FR)
Selon l'invention, une cellule de mémoire non volatile disposée sur un substrat semiconducteur comprend un premier et un second transistor. Chaque transistor est conçu comme un élément de mémoire comprenant: deux régions de diffusion pouvant agir soit comme source soit comme drain; un élément de stockage de charge; et un élément de grille de commande. Une région de canal est située entre les deux régions de diffusion; l'élément de stockage de charge est situé au-dessus de la région de canal et l'élément de grille de commande est disposé sur l'élément de stockage de charge. Une région de diffusion du premier transistor et une région de diffusion du second transistor forment une région de diffusion commune. L'autre région de diffusion du premier transistor est reliée, en tant que première région de diffusion, à une première ligne de bits; l'autre région de diffusion du second transistor est reliée, en tant que seconde région de diffusion, à une seconde ligne de bits; et la région de diffusion commune est reliée à une ligne de détection.
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