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1. WO2008003308 - PROCÉDÉ DE FIXATION DE COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES SUR UN SUPPORT PAR FRITTAGE SOUS PRESSION ET CIRCUITERIE

Numéro de publication WO/2008/003308
Date de publication 10.01.2008
N° de la demande internationale PCT/DE2007/001199
Date du dépôt international 06.07.2007
CIB
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/498 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
498Connexions électriques sur des substrats isolants
C22C 14/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
14Alliages à base de titane
CPC
H01L 2224/27436
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
27Manufacturing methods
274by blanket deposition of the material of the layer connector
2743in solid form
27436Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
H01L 2224/29339
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
29of an individual layer connector
29001Core members of the layer connector
29099Material
29198with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
29298Fillers
29299Base material
293with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
29338the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
29339Silver [Ag] as principal constituent
H01L 2224/83101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
83using a layer connector
831the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
83101as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
H01L 2224/83192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
83using a layer connector
8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
83192wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
H01L 2224/83203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
83using a layer connector
832Applying energy for connecting
83201Compression bonding
83203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
H01L 2224/8384
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
83using a layer connector
838Bonding techniques
8384Sintering
Déposants
  • TECHNISCHE UNIVERSITÄT CAROLO-WILHELMINA [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • PALM, Gerhard [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WAAG, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • PALM, Gerhard
  • WAAG, Andreas
Mandataires
  • GERSTEIN, Joachim
Données relatives à la priorité
10 2006 031 844.707.07.2006DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR BEFESTIGUNG VON ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN AUF EINEM TRÄGER DURCH DRUCKSINTERUNG UND SCHALTUNGSANORDNUNG
(EN) METHOD FOR ATTACHING ELECTRONIC COMPONENTS TO A SUPPORT BY MEANS OF PRESSURE SINTERING AND CIRCUIT ARRANGEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FIXATION DE COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES SUR UN SUPPORT PAR FRITTAGE SOUS PRESSION ET CIRCUITERIE
Abrégé
(DE)
Ein Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen (3) auf einem Träger durch Drucksinterung hat die Schritte: a) Beschichten mindestens einer Folie (1) als Träger mit einer Edelmetalllegierung (2); b) Aufbringen einer metallhaltigen Kontaktschicht (4) auf Kontaktoberflächen des mindestens einen zu befestigenden elektronischen Bauelementes (3); c) Positionieren des mindestens einen elektronischen Bauelementes (3) auf der mindestens einen Folie (1) so, dass die mindestens eine Kontaktoberfläche auf der Edelmetalllegierung (2) der mindestens einen Folie (1) aufliegt; und d) Beaufschlagen der Anordnung aus mindestens einer Folie (1) und mindestens einem elektronischen Bauelement (3) mit Druck und Temperatur zur Drucksinterung.
(EN)
The invention relates to a method for attaching electronic components (3) to a support by means of pressure sintering comprising the steps: a) coating at least one film (1) as support with a noble metal alloy (2); b) application of a metal containing contact layer (4) to contact surfaces of the at least one electronic component (3) for attaching; c) positioning the at least one electronic component (3) on the at least one film (1) such that the at least one contact surface rests on the noble metal alloy (2) of the at least one film (1) and d) subjecting the arrangement of at least one film (1) and at least one electronic component (3) to pressure and heat for pressure sintering.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fixation de composants électroniques (3) sur un support par frittage sous pression, lequel procédé consiste a) à enduire d'un alliage de métaux nobles (2) au moins une feuille (1) servant de support, b) à appliquer une couche de contact métallifère (4) sur des surfaces de contact dudit au moins un composant électronique à fixer (3), c) à positionner ledit composant électronique (3) sur ladite feuille (1), de sorte que ladite surface de contact repose sur l'alliage de métaux nobles (2) de ladite feuille (1) puis d) à soumettre l'ensemble constitué d'au moins une feuille (1) et d'au moins un composant électronique (3) à une certaine pression et une certaine température pour effectuer le frittage sous pression.
Également publié en tant que
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