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1. WO2008001990 - DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE NITRURES III, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2008/001990
Date de publication 03.01.2008
N° de la demande internationale PCT/KR2006/005756
Date du dépôt international 27.12.2006
CIB
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
CPC
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Déposants
  • EPIVALLEY CO., LTD. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • KIM, Chang-Tae [KR]/[KR] (UsOnly)
  • JUNG, Hyun-Min [KR]/[KR] (UsOnly)
  • KIM, Hyun-Suk [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • KIM, Chang-Tae
  • JUNG, Hyun-Min
  • KIM, Hyun-Suk
Données relatives à la priorité
10-2006-006087130.06.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE NITRURES III, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé
(EN)
The present invention discloses a Ill-nitride (compound) semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same. The Ill-nitride compound semiconductor light emitting device includes a substrate with a groove formed therein, a plurality of nitride compound semiconductor layers being grown on the substrate, and having a first nitride compound semiconductor layer with first conductivity, a second nitride compound semi¬ conductor layer with second conductivity different from the first conductivity, and an active layer interposed between the first nitride compound semiconductor layer and the second nitride compound semiconductor layer, for generating light by recombination, a first electrode electrically contacting the first nitride compound semiconductor layer through the groove, a second electrode formed on the plurality of nitride compound semiconductor layers, and a protrusion formed on the periphery of the second electrode, for forming a rough surface.
(FR)
L'invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (composés) de type nitrures III, et un procédé de production correspondant. Le dispositif selon l'invention comprend un substrat dans lequel est formée une rainure, une pluralité de couches de semi-conducteurs composés de type nitrures qui sont formées sur le substrat par croissance et parmi lesquelles figurent une première couche de semi-conducteurs composés de type nitrures présentant une première conductivité, une deuxième couche de semi-conducteurs composés de type nitrures présentant une deuxième conductivité, différente de ladite première conductivité, et une couche active qui est disposée entre la première et la deuxième couche de semi-conducteurs composés de type nitrures, pour générer de la lumière par recombinaison, une première électrode qui est en contact électrique avec la première couche de semi-conducteurs composés de type nitrures par l'intermédiaire de la rainure, une deuxième électrode qui est formée sur la pluralité de couches de semi-conducteurs de type nitrures, et une structure saillante qui est formée à la périphérie de la deuxième électrode, pour former une surface rugueuse.
Également publié en tant que
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