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1. WO2008001685 - APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE ET PROCÉDÉ DE CORRECTION D'ANGLE DE DÉFLEXION DE FAISCEAU IONIQUE

Numéro de publication WO/2008/001685
Date de publication 03.01.2008
N° de la demande internationale PCT/JP2007/062578
Date du dépôt international 22.06.2007
CIB
H01J 37/317 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
317pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
H01J 37/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
04Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
10Lentilles
12électrostatiques
H01L 21/265 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
265produisant une implantation d'ions
CPC
H01J 2237/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
10Lenses
14magnetic
H01J 2237/1538
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
153Correcting image defects, e.g. stigmators
1538Space charge (Boersch) effect compensation
H01J 2237/24528
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
245Detection characterised by the variable being measured
24507Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
24514Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
24528Direction of beam or parts thereof in view of the optical axis, e.g. beam angle, angular distribution, beam divergence, beam convergence or beam landing angle on sample or workpiece
H01J 37/3171
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3171for ion implantation
Déposants
  • 日新イオン機器株式会社 NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山下 貴敏 YAMASHITA, Takatoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 山下 貴敏 YAMASHITA, Takatoshi
Mandataires
  • 内藤 照雄 NAITO, Teruo
Données relatives à la priorité
2006-17512726.06.2006JP
2007-13300118.05.2007JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ION IMPLANTING APPARATUS AND ION BEAM DEFLECTION ANGLE CORRECTING METHOD
(FR) APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE ET PROCÉDÉ DE CORRECTION D'ANGLE DE DÉFLEXION DE FAISCEAU IONIQUE
(JA) イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法
Abrégé
(EN)
An ion implantation apparatus in which the divergence in the Y-direction due to the space charge effect of the ion beam is compensated between the target and the ion beam deflector where the ion beam is separated from neutral particles and thereby the ion beam transportation efficiency is enhanced. The ion implantation apparatus comprises a beam parallizer (14) for converting an ion beam (4) scanned in the X-direction is bent back into a parallel ion beam by a magnetic field and outputting an ion beam (4) having a ribbon shape. The beam parallizer (14) also serves as an ion beam deflector for separating the ion beam (4) and neutral particles by the deflection of the ion beam (4) by the magnetic filed. Near the exit of the beam parallizer (14), electrodes are so disposed as to be opposed to each other in the Y-direction, with the space where the ion beam (4) passes interposed. Thus, an electrostatic lens (30) for converging the ion beam (4) in the Y-direction is provided.
(FR)
Appareil d'implantation ionique dans lequel la divergence dans la direction Y due à l'effet de charge d'espace du faisceau ionique est compensée entre la cible et le déviateur de faisceau ionique où le faisceau ionique est séparé des particules neutres et ainsi l'efficacité de transport du faisceau ionique est améliorée. L'appareil d'implantation ionique comprend un dispositif de mise en parallèle de faisceau (14) destiné à convertir un faisceau ionique (4) balayé dans la direction X qui est replié en un faisceau ionique parallèle par un champ magnétique et destiné à fournir en sortie un faisceau ionique (4) ayant une forme de ruban. Le dispositif de mise en parallèle de faisceau (14) tient également lieu de déviateur de faisceau ionique pour séparer le faisceau ionique (4) et les particules neutres par la déflexion du faisceau ionique (4) par le champ magnétique. À proximité de la sortie du dispositif de mise en parallèle de faisceau (14), des électrodes sont disposées de manière à être opposées l'une par rapport à l'autre dans la direction Y, l'espace où le faisceau ionique (4) passe étant intercalé entre celles-ci. Ainsi, une lentille électrostatique (30) destinée à faire converger le faisceau ionique (4) dans la direction Y est fournie.
(JA)
figure
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