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Paramétrages

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1. WO2007149788 - PROCÉDÉ PERMETTANT D'ACCROÎTRE LA RÉSISTANCE A LA TRACTION D'UN NITRURE DE SILICIUM PAR TRAITEMENT AU PLASMA IN SITU ET DURCISSEMENT PAR UV EX SITU

Numéro de publication WO/2007/149788
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/071387
Date du dépôt international 15.06.2007
CIB
H01L 21/318 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
318composées de nitrures
CPC
C23C 16/345
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
34Nitrides
345Silicon nitride
C23C 16/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
56After-treatment
H01L 21/0234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02337treatment by exposure to a gas or vapour
0234treatment by exposure to a plasma
H01L 21/02348
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02345treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
02348treatment by exposure to UV light
H01L 21/3105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
H01L 21/31111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A Santa Clara, California 95052, US (AllExceptUS)
  • BALSEANU, Mihaela [RO/US]; US (UsOnly)
  • NGUYEN, Victor [US/US]; US (UsOnly)
  • XIA, Li-Qun [US/US]; US (UsOnly)
  • WITTY, Derek, R. [US/US]; US (UsOnly)
  • M'SAAD, Hichem [TN/US]; US (UsOnly)
  • SHEK, Mei-Yee [US/US]; US (UsOnly)
  • ROFLOX, Isabelita [PH/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • BALSEANU, Mihaela; US
  • NGUYEN, Victor; US
  • XIA, Li-Qun; US
  • WITTY, Derek, R.; US
  • M'SAAD, Hichem; US
  • SHEK, Mei-Yee; US
  • ROFLOX, Isabelita; US
Mandataires
  • TOBIN, Kent, J. ; Two Embarcadero Center, 8th Floor San Francisco, California 94111-3834, US
Données relatives à la priorité
11/762,59013.06.2007US
60/805,32420.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD TO INCREASE SILICON NITRIDE TENSILE STRESS USING NITROGEN PLASMA IN-SITU TREATMENT AND EX-SITU UV CURE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT D'ACCROÎTRE LA RÉSISTANCE A LA TRACTION D'UN NITRURE DE SILICIUM PAR TRAITEMENT AU PLASMA IN SITU ET DURCISSEMENT PAR UV EX SITU
Abrégé
(EN)
Stress of a silicon nitride layer may be enhanced by deposition at higher temperatures. Employing an apparatus that allows heating of a substrate to substantially greater than 400°C (for example a heater made from ceramic rather than aluminum), the silicon nitride film as-deposited may exhibit enhanced stress allowing for improved performance of the underlying MOS transistor device. In accordance with alternative embodiments, a deposited silicon nitride film is exposed to curing with ultraviolet (UV) radiation at an elevated temperature, thereby helping remove hydrogen from the film and increasing film stress. In accordance with still other embodiments, a silicon nitride film is formed utilizing an integrated process employing a number of deposition/curing cycles to preserve integrity of the film at the sharp corner of the underlying raised feature. Adhesion between successive layers may be promoted by inclusion of a post-UV cure plasma treatment in each cycle.
(FR)
On pourra augmenter la résistance à la traction d'une couche de nitrure de silicium par un dépôt à haute température. L'emploi d'un appareil permettant de chauffer un substrat à une température nettement supérieure à 400 °C (tel qu'un dispositif de chauffage en céramique et non en aluminium) permet de conférer au film de nitrure de silicium déposé une résistance à la traction procurant de meilleures performances au dispositif transistorisé MOS sous-jacent. Selon d'autres modes de réalisation, le film de nitrure de silicium déposé est exposé à un rayonnement UV durcissant, ce qui contribue à éliminer l'hydrogène du film et à en accroître la résistance. Selon d'autres modes de réalisation encore, on forme un film de nitrure de silicium au moyen d'un procédé intégré faisant intervenir un certain nombre de cycles de dépôt/durcissement pour préserver l'intégrité du film au niveau de l'angle aigu de la partie sous-jacente soulevée. L'adhérence entre des couches successives peut être favorisée par l'inclusion d'un traitement de durcissement par UV dans chaque cycle.
Également publié en tant que
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