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Paramétrages

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1. WO2007149694 - APPAREILS, SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR LE NETTOYAGE RAPIDE D'ANNEAUX DE CONFINEMENT DE PLASMA AVEC UNE ÉROSION MINIMALE DES AUTRES PARTIES DE LA CHAMBRE

Numéro de publication WO/2007/149694
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/070265
Date du dépôt international 01.06.2007
CIB
C23C 16/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
CPC
B08B 7/0035
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
7Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
0035by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
H01J 37/32009
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
H01J 37/32091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32091the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/32596
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32596Hollow cathodes
H01J 37/32862
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32853Hygiene
32862In situ cleaning of vessels and/or internal parts
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US (AllExceptUS)
  • HUDSON, Eric [US/GB]; US (UsOnly)
  • FISCHER, Andreas [DE/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • HUDSON, Eric; US
  • FISCHER, Andreas; US
Mandataires
  • GENCARELLA, Michael, L.; Martine Penilla & Gencarella, LLP 710 Lakeway Drive, Suite 200 Sunnyvale, CA 94085, US
Données relatives à la priorité
11/425,20620.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUSES, SYSTEMS AND METHODS FOR RAPID CLEANING OF PLASMA CONFINEMENT RINGS WITH MINIMAL EROSION OF OTHER CHAMBER PARTS
(FR) APPAREILS, SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR LE NETTOYAGE RAPIDE D'ANNEAUX DE CONFINEMENT DE PLASMA AVEC UNE ÉROSION MINIMALE DES AUTRES PARTIES DE LA CHAMBRE
Abrégé
(EN)
An apparatus used for rapid removal of polymer films from plasma confinement rings while minimizing erosion of other plasma etch chamber components is disclosed. The apparatus includes a center assembly, an electrode plate, a confinement ring stack, a first plasma source, and a second plasma source. The electrode plate is affixed to a surface of the center assembly with a channel defined along the external circumference therein. A first plasma source is disposed within the channel and along the external circumference of the center assembly, wherein the first plasma source is configured to direct a plasma to the inner circumferential surface of the confinement ring stack. A second plasma source located away from the first plasma source is configured to perform processing operations on a substrate within the etch chamber.
(FR)
L'invention concerne un appareil utilisé pour retirer rapidement des films polymères d'anneaux de confinement de plasma tout en minimisant l'érosion des autres composants d'une chambre de gravure par plasma. L'appareil comprend un assemblage central, une plaque d'électrode, un empilement d'anneaux de confinement, une première source de plasma et une deuxième source de plasma. La plaque d'électrode est fixée à une surface de l'assemblage central, un canal y étant défini le long de la circonférence externe. Une première source de plasma est disposée à l'intérieur du canal et le long de la circonférence externe de l'assemblage central, la première source de plasma étant configurée pour diriger un plasma vers la surface circonférentielle interne de l'empilement d'anneaux de confinement. Une deuxième source de plasma située à l'écart de la première source de plasma est configurée pour effectuer des opérations de traitement sur un substrat à l'intérieur de la chambre de gravure.
Également publié en tant que
KR1020087030946
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