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Paramétrages

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1. WO2007149676 - PROCÉDÉ DE COMMANDE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À L'AIDE D'UNE COMPENSATION THERMIQUE DE TENSIONS DE CANAUX MOT NON SÉLECTIONNÉS ET DE PORTES DE SÉLECTION

Numéro de publication WO/2007/149676
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/069709
Date du dépôt international 25.05.2007
CIB
G11C 16/04 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
04utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G11C 16/26 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
CPC
G11C 11/5642
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5621using charge storage in a floating gate
5642Sensing or reading circuits; Data output circuits
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
G11C 16/26
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26Sensing or reading circuits; Data output circuits
G11C 16/3418
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
3418Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
G11C 16/3427
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
3418Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
3427Circuits or methods to prevent or reduce disturbance of the state of a memory cell when neighbouring cells are read or written
G11C 16/3459
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
3436Arrangements for verifying correct programming or erasure
3454Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
3459Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
Déposants
  • SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard Milpitas, CA 95035, US (AllExceptUS)
  • MOKHLESI, Nima [US/US]; US (UsOnly)
  • ZHAO, Dengtao [CN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • MOKHLESI, Nima; US
  • ZHAO, Dengtao; US
Mandataires
  • MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP 575 Market Street Suite 2500 San Francisco, CA 94105, US
Données relatives à la priorité
11/424,80016.06.2006US
11/424,81216.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR OPERATING NON-VOLATILE MEMORY USING TEMPERATURE COMPENSATION OF VOLTAGES OF UNSELECTED WORD LINES AND SELECT GATES
(FR) PROCÉDÉ DE COMMANDE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À L'AIDE D'UNE COMPENSATION THERMIQUE DE TENSIONS DE CANAUX MOT NON SÉLECTIONNÉS ET DE PORTES DE SÉLECTION
Abrégé
(EN)
Reading and verify operations are performed on non-volatile storage elements using temperature-compensated read voltages for unselected word lines, and/or for select gates such as drain or source side select gates of a NAND string. In one approach, while a read or verify voltage is applied to a selected word line, temperature-compensated read voltages are applied to unselected word lines and select gates. Word lines which directly neighbor the selected word line can receive a voltage which is not temperature compensated, or which is temperature-compensated to a reduced degree. The read or verify voltage applied to the selected word line can also be temperature-compensated. The temperature compensation may also account for word line position.
(FR)
Selon la présente invention, des opérations de lecture et de vérification sont effectuées sur des éléments de mémoire non volatile à l'aide de tensions de lecture à compensation thermique pour des canaux mot non sélectionnés, et/ou pour des portes de sélection telles que des portes de sélection côté drain ou source d'une chaîne NAND. Dans un mode de réalisation, lorsqu'une tension de lecture ou de vérification est appliquée à un canal mot sélectionné, des tensions de lecture à compensation thermique sont appliquées à des canaux mot non sélectionnés et des portes de sélection. Des canaux mot adjacents à celui sélectionné peuvent recevoir une tension sans compensation thermique, ou avec un degré moindre de compensation thermique. La tension de lecture ou de vérification appliquée au canal mot sélectionné peut également faire l'objet d'une compensation thermique. La compensation thermique peut également tenir compte de la position de canal mot.
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