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Paramétrages

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1. WO2007149004 - PROCÉDÉS ET APPAREILS DE SIMULATION D'SEFFETS DISTRIBUÉS

Numéro de publication WO/2007/149004
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/RU2006/000304
Date du dépôt international 13.06.2006
CIB
G06F 17/50 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
17Équipement ou méthodes de traitement de données ou de calcul numérique, spécialement adaptés à des fonctions spécifiques
50Conception assistée par ordinateur
H01L 29/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
CPC
G06F 30/367
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
30Computer-aided design [CAD]
30Circuit design
36Circuit design at the analogue level
367Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
G06F 30/392
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
30Computer-aided design [CAD]
30Circuit design
39Circuit design at the physical level
392Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement
Déposants
  • FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735, US (AllExceptUS)
  • KNIFFIN, Margaret L. [US/US]; US (UsOnly)
  • SHIPITSIN, Dmitry Svyatoslavovich [RU/RU]; RU (UsOnly)
  • ZUNINO, Michael J. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KNIFFIN, Margaret L.; US
  • SHIPITSIN, Dmitry Svyatoslavovich; RU
  • ZUNINO, Michael J.; US
Mandataires
  • LAW FIRM 'GORODISSKY & PARTNERS' LTD.; EGOROVA Galina Borisovna, MITS Alexander Vladimirovich et al. B. Spasskaya Str., 25, Stroenie 3 Moscow, 129010, RU
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS AND APPARATUS FOR SIMULATING DISTRIBUTED EFFECTS
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREILS DE SIMULATION D'SEFFETS DISTRIBUÉS
Abrégé
(EN)
In general, various embodiments of the present invention relate to systems and methods for simulating distributed effects by providing a meshing pattern (200) (e.g., a two-dimensional meshing pattern that is part of a recognition layer), applying that meshing pattern to the physical layout (100), and partitioning the physical layout into a three-dimensional netlist (300) of components derived from the unit cells defined by the meshing pattern (200), thereby modeling the parasitics within the design.
(FR)
En règle générale, divers modes de réalisation de la présente invention portent sur des systèmes et des procédés de simulation d'effets distribués par la fourniture d'un motif à mailles (200) (par exemple un motif à mailles bidimensionnel faisant partie d'une couche de reconnaissance), l'application de ce motif à mailles sur la couche physique (100), et la séparation de la couche physique en un réseau tridimensionnel (300) de composants provenant de cellules unitaires définies par le motif à mailles (200), permettant ainsi de modéliser les parasites à l'intérieur du dessin.
Également publié en tant que
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