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Paramétrages

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1. WO2007148985 - Dispositif et procédé pour la fabrication de silicium de qualité semi-conducteur

Numéro de publication WO/2007/148985
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/NO2007/000219
Date du dépôt international 20.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.04.2008
CIB
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
C30B 15/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
CPC
C30B 11/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
002Crucibles or containers for supporting the melt
C30B 28/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
28Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
04from liquids
06by normal freezing or freezing under temperature gradient
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 35/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
002Crucibles or containers
H01L 21/67005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
Déposants
  • REC SCANWAFER AS [NO/NO]; Tormod Gjestlands vei 41 N-3908 Porsgrunn, NO (AllExceptUS)
  • JULSRUD, Stein [NO/NO]; NO (UsOnly)
  • NAAS, Tyke, Laurence [NO/NO]; NO (UsOnly)
Inventeurs
  • JULSRUD, Stein; NO
  • NAAS, Tyke, Laurence; NO
Mandataires
  • ONSAGERS AS ; P.O.Box 6963 St. Olavs plass N-0130 Oslo, NO
Données relatives à la priorité
60/815,86023.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE AND METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR GRADE SILICON
(FR) Dispositif et procédé pour la fabrication de silicium de qualité semi-conducteur
Abrégé
(EN)
This invention relates to a device and method for production of ingots of semiconductor grade silicon, including solar grade silicon, where the presence of oxygen in the hot zone is substantially reduced or eliminated by employing materials void of oxides in the hot zone of the melting and crystallisation process. The method may be employed for any known process including for crystallising semiconductor grade silicon ingots, including solar grade silicon ingots, such as the Bridgman process, the block-casting process, and the CZ-process for growth of monoicrystalline silicon crystals. The invention also relates to devices for carrying out the melting and crystallisation processes, where the materials of the hot zone are void of oxides.
(FR)
Cette invention concerne un dispositif et un procédé pour la fabrication de lingots de silicium de qualité semi-conducteur, notamment de silicium de qualité solaire, où la présence d'oxygène dans la zone chaude est sensiblement réduite ou éliminée par l'utilisation de matériaux dépourvus d'oxydes dans la zone chaude du processus de fusion et de cristallisation. Le procédé peut être employé pour tout processus connu, y compris pour la cristallisation de lingots de silicium de qualité semi-conducteur, notamment de lingots de silicium de qualité solaire, tel que le procédé Bridgman, le procédé de coulée en bloc ou le procédé Czochralski pour la croissance de cristaux monocristallins de silicium. L'invention concerne également des dispositifs permettant de mettre en œuvre les processus de fusion et de cristallisation, où les matériaux de la zone chaude sont dépourvus d'oxydes.
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