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Paramétrages

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1. WO2007148904 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE ABSORBANT LA LUMIÈRE POUR UNE PILE PHOTOVOLTAÏQUE

Numéro de publication WO/2007/148904
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2007/002961
Date du dépôt international 19.06.2007
CIB
H01L 31/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
CPC
C23C 16/305
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
305Sulfides, selenides, or tellurides
H01L 31/0322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
H01L 31/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
541CuInSe2 material PV cells
Déposants
  • IN-SOLAR TECH CO., LTD. [KR/KR]; 19th Team, Business Incubator Chung-Ang University 221, Heukseok-dong, Dongjak-gu Seoul 156-756, KR (AllExceptUS)
  • CHOI, In-Hwan [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • CHOI, In-Hwan; KR
Mandataires
  • CENTRAL INTERNATIONAL PATENT FIRM; Kwanghwamoon P.O. Box 1978 Chongno-ku Seoul, KR
Données relatives à la priorité
10-2006-005506419.06.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING LIGHT-ABSORBING LAYER FOR SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE ABSORBANT LA LUMIÈRE POUR UNE PILE PHOTOVOLTAÏQUE
Abrégé
(EN)
Disclosed herein is a method for producing a light- absorbing layer for a solar cell that is capable of economically and efficiently forming an I-III-VI2 compound thin film used as a light-absorbing layer for a solar cell. The method comprises (a) depositing a single precursor including Group III and VI elements on a substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) to form a Group III- VI or III2-VI3 compound thin film, (b) depositing a precursor including a Group I element on the III-VI or III2-VI3 compound thin film by MOCVD to form a I-III-VI compound thin film composed of Group I, III and VI elements, and (c) heating the I-III-VI compound thin film under a Group VI element- containing gas atmosphere or depositing a Group VI element- including precursor on the I-III-VI compound thin film by MOCVD to form an 1-III-VI2 compound thin film.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant la production d'une couche absorbant la lumière destinée à une pile photovoltaïque pouvant former de manière économique et efficace un film en couche mince comprenant des composés I-III-VI2 utilisé en tant que couche absorbant la lumière pour une pile photovoltaïque. Le procédé comprend (a) le dépôt d'un précurseur simple comprenant des éléments des groupes III et IV sur un substrat par dépôt chimique en phase vapeur (MOCVD), de manière à former un film en couche mince comprenant des composés des groupes III-IV ou III2-VI3; (b) dépôt d'un précurseur comprenant un élément du groupe I sur le film en couche mince comprenant des composés des groupes III-IV ou III2-VI3 par dépôt chimique en phase vapeur, de manière à former un film en couche mince comprenant des composés I-III-VI, composé d'éléments des groupes I, III, et IV; et (c) chauffage du film en couche mince comprenant des composés I-III-VI dans une atmosphère gazeuse contenant un élément du groupe IV ou dépôt d'un élément du groupe IV comprenant le précurseur sur le film en couche mince comprenant des composés I-III-VI par dépôt chimique en phase vapeur, ceci permettant la formation d'un film en couche mince comprenant des composés I-III-VI2.
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