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1. (WO2007148891) CAPTEUR D'IMAGE UTILISANT UNE PHOTODIODE RÉTROÉCLAIRÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/148891    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/002876
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 14.06.2007
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F, Yewon Bldg., 75-1 Yangjae-dong, Seocho-gu, Seoul 137-130 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Byoung Su [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
WON, Jun Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Byoung Su; (KR).
WON, Jun Ho; (KR)
Mandataire : LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13 Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0054767 19.06.2006 KR
Titre (EN) IMAGE SENSOR USING BACK-ILLUMINATED PHOTODIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) CAPTEUR D'IMAGE UTILISANT UNE PHOTODIODE RÉTROÉCLAIRÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)An image sensor using a back-illuminated photodiode and a manufacturing method thereof are provided. According to the present invention, since a surface of the back-illuminated photodiode can be stably treated, the back-illuminated photodiode can be formed to have a low dark current, a constant sensitivity of blue light for all photodiodes, and high sensitivity. In addition, it is possible to manufacture an image sensor with high density by employing a three dimensional structure in which a photodiode and a logic circuit are separately formed on different substrates.
(FR)La présente invention concerne un capteur d'image utilisant une photodiode rétroéclairée et son procédé de fabrication. Selon la présente invention, puisqu'une surface de la photodiode rétroéclairée peut être traitée de façon stable, la photodiode rétroéclairée peut être fabriquée de façon à présenter un courant d'obscurité faible, une sensibilité constante à la lumière bleue pour toutes les photodiodes, et une sensibilité élevée. Il est de plus possible de fabriquer un capteur d'image à haute densité en utilisant une structure tridimensionnelle dans laquelle une photodiode et un circuit logique sont réalisés séparément sur des substrats différents.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)