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Paramétrages

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1. WO2007148866 - DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AYANT UNE TOPOLOGIE VERTICALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2007/148866
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2007/000471
Date du dépôt international 26.01.2007
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 2933/0016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0016relating to electrodes
H01L 2933/0083
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0083Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
H01L 33/0075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0075comprising nitride compounds
H01L 33/0079
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0079wafer bonding or at least partial removal of the growth substrate
H01L 33/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Déposants
  • LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 20, Yoido-dong Youngdungpo-gu Seoul 150-721, KR (AllExceptUS)
  • LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 20, Yoido-dong Youngdungpo-gu Seoul 150-721, KR (AllExceptUS)
  • JANG, Jun Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • CHOI, Jae Wan [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • BAE, Duk Kyu [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • CHO, Hyun Kyong [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • PARK, Jong Kook [KR/US]; US (UsOnly)
  • KIM, Sun Jung [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • LEE, Jeong Soo [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • JANG, Jun Ho; KR
  • CHOI, Jae Wan; KR
  • BAE, Duk Kyu; KR
  • CHO, Hyun Kyong; KR
  • PARK, Jong Kook; US
  • KIM, Sun Jung; KR
  • LEE, Jeong Soo; KR
Mandataires
  • BAHNG, Hae Cheol ; 15th Floor Yo Sam Building, 648-23 Yeoksam-dong, Kangnam-gu Seoul, 135-080, KR
Données relatives à la priorité
10-2006-005703323.06.2006KR
10-2006-009346526.09.2006KR
10-2006-009357426.09.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT EMITTING DIODE HAVING VERTICAL TOPOLOGY AND METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AYANT UNE TOPOLOGIE VERTICALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
Disclosed herein is an LED having vertical topology. In particular, provided is an LED having vertical topology which is capable of improving a luminous efficiency and reliability thereof and is also capable of achieving mass productivity, and a method of making the same. The method includes forming a semiconductor layer on a substrate; forming a first electrode on the semiconductor layer; forming a supporting layer on the first electrode; generating an acoustic stress wave at the interface between the substrate and semiconductor layer, thereby separating the substrate from the semiconductor layer; and forming a second electrode on the semiconductor layer exposed by the separation of the substrate.
(FR)
La présente invention présente une diode électroluminescente ayant une topologie verticale. En particulier, la présente invention fournit une diode électroluminescente ayant une topologie verticale qui est en mesure d'améliorer son efficacité lumineuse et sa fiabilité et qui est également en mesure d'obtenir une capacité de production de masse, et son procédé de fabrication. Le procédé inclut la formation d'une couche semi-conductrice sur un substrat ; la formation d'une première électrode sur la couche semi-conductrice ; la formation d'une couche de support sur la première électrode ; la génération d'une onde de contrainte acoustique au niveau de l'interface entre le substrat et la couche semi-conductrice, ce qui sépare de la sorte le substrat de la couche semi-conductrice ; et la formation d'une seconde électrode sur la couche semi-conductrice exposée par la séparation du substrat.
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