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Paramétrages

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1. WO2007148615 - Procédé de croissance d'un cristal de AlxGa1-xN, et substrat en cristal de AlxGa1-xN

Numéro de publication WO/2007/148615
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/062073
Date du dépôt international 15.06.2007
CIB
C30B 29/38 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38Nitrures
C30B 23/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
02Croissance d'une couche épitaxiale
06Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer
CPC
C30B 23/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
C30B 23/025
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
025characterised by the substrate
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
Déposants
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 Osaka 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP (AllExceptUS)
  • 宮永 倫正 MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 水原 奈保 MIZUHARA, Naho [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 中幡 英章 NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 宮永 倫正 MIYANAGA, Michimasa; JP
  • 水原 奈保 MIZUHARA, Naho; JP
  • 中幡 英章 NAKAHATA, Hideaki; JP
Mandataires
  • 中野 稔 NAKANO, Minoru; 〒5540024 大阪府大阪市此花区島屋一丁目1番3号 住友電気工業株式会社内 Osaka c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3 Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 5540024, JP
Données relatives à la priorité
2006-17030220.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN CRYSTAL, AND AlxGa1-xN CRYSTAL SUBSTRATE
(FR) Procédé de croissance d'un cristal de AlxGa1-xN, et substrat en cristal de AlxGa1-xN
(JA) AlxGa1-xN結晶の成長方法およびAlxGa1-xN結晶基板
Abrégé
(EN)
Provided are a method for manufacturing AlxGa1-xN crystals by which large crystals having low dislocation density can be obtained, and AlxGa1-xN crystals. The method for growing the AlxGa1-xN crystals (0<x≤1) is provided for growing an AlxGa1-xN crystal (10) by vapor phase method. In the method, at the time of growing the crystal, at least one pit (10p) having a plurality of facets (12) is formed on the main growing plane (11) of the AlxGa1-xN crystal (10), and dislocation of the AlxGa1-xN crystal (10) is reduced by growing the AlxGa1-xN crystal (10) in a status where at least one pit (10p) exists.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de cristaux de AlxGa1-xN qui permet d'obtenir de gros cristaux ayant une faible densité de dislocations, et des cristaux de AlxGa1-xN. Le procédé de croissance de cristaux de AlxGa1-xN (0 < x ≤ 1) permet de faire croître un cristal de AlxGa1-xN (10) par un procédé en phase vapeur. Dans le procédé, au moment de faire croître le cristal, au moins un trou (10p) comportant une pluralité de facettes (12) est formé sur le plan de croissance principal (11) du cristal de AlxGa1-xN (10), et les dislocations du cristal de AlxGa1-xN (10) sont réduites en faisant croître le cristal de AlxGa1-xN (10) dans un état où au moins un trou (10p) existe.
(JA)
 大型で転位密度の低い結晶が得られるAlxGa1-xN結晶の成長方法およびAlxGa1-xN結晶基板を提供する。  本AlxGa1-xN結晶(0<x≦1)の成長方法は、気相法によるAlxGa1-xN結晶10の成長方法であって、結晶成長の際、AlxGa1-xN結晶10の主成長平面11に複数のファセット12を有するピット10pを少なくとも1つ形成し、ピット10pが少なくとも1つ存在している状態でAlxGa1-xN結晶10を成長させることにより、AlxGa1-xN結晶10の転位を低減することを特徴とする。
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