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1. WO2007148405 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2007/148405
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2006/312640
Date du dépôt international 23.06.2006
CIB
H01L 27/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 27/2436
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
2436comprising multi-terminal selection components, e.g. transistors
H01L 45/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
06based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
H01L 45/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
H01L 45/144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
141Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
144Tellurides, e.g. GeSbTe
H01L 45/1675
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
16Manufacturing
1666Patterning of the switching material
1675by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
Déposants
  • 株式会社ルネサステクノロジ RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 〒1006334 東京都千代田区丸の内二丁目4番1号 Tokyo 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006334, JP (AllExceptUS)
  • 寺尾 元康 TERAO, Motoyasu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松井 裕一 MATSUI, Yuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 古賀 剛 KOGA, Tsuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松崎 望 MATSUZAKI, Nozomu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 高浦 則克 TAKAURA, Norikatsu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 藤崎 芳久 FUJISAKI, Yoshihisa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 黒土 健三 KUROTSUCHI, Kenzo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 森川 貴博 MORIKAWA, Takahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 笹子 佳孝 SASAGO, Yoshitaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 牛山 純子 USHIYAMA, Junko [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 廣常 朱美 HIROTSUNE, Akemi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 寺尾 元康 TERAO, Motoyasu; JP
  • 松井 裕一 MATSUI, Yuichi; JP
  • 古賀 剛 KOGA, Tsuyoshi; JP
  • 松崎 望 MATSUZAKI, Nozomu; JP
  • 高浦 則克 TAKAURA, Norikatsu; JP
  • 藤崎 芳久 FUJISAKI, Yoshihisa; JP
  • 黒土 健三 KUROTSUCHI, Kenzo; JP
  • 森川 貴博 MORIKAWA, Takahiro; JP
  • 笹子 佳孝 SASAGO, Yoshitaka; JP
  • 牛山 純子 USHIYAMA, Junko; JP
  • 廣常 朱美 HIROTSUNE, Akemi; JP
Mandataires
  • 筒井 大和 TSUTSUI, Yamato; 〒1020076 東京都千代田区五番町14番地 国際中正会館 6階 筒井国際特許事務所 Tokyo Tsutsui & Associates 6th Floor, Kokusai Chusei Kaiken 14, Gobancho Chiyoda-ku Tokyo 102-0076, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé
(EN)
In a phase change memory, an interfacial layer is inserted between a calcogenide material layer and a plug. Covering of the whole interface of plug electrode by the interfacial layer is avoided. Formation of the plug above the calcogenide layer realizes an integration increase. The interfacial layer is produced by sputtering with the use of either an oxide target or a metal target to thereby form a metal film and thereafter oxidizing the metal film in an oxidative atmosphere of oxygen radical, oxygen plasma, etc.
(FR)
Dans une mémoire à changement de phase, une couche intermédiaire est intercalée entre une couche de matériau de chalcogénure et une fiche. La couverture de l'ensemble de l'interface d'électrode de prise par la couche intermédiaire est évitée. La formation de la prise au-dessus de la couche de chalcogénure permet d'obtenir une augmentation d'intégration. La couche intermédiaire est produite par pulvérisation avec l'utilisation soit d'une cible d'oxyde soit d'une cible de métal pour ainsi former une couche métallique et par la suite par oxydation de la couche métallique dans une atmosphère oxydante de radical oxygène, de plasma d'oxygène, etc.
(JA)
 相変化メモリにおいて、界面層をカルコゲナイド材料層/プラグ間に挿入する。界面層はプラグ状電極の界面全体を覆わないようにする。プラグはカルコゲナイド層より上部に形成すれば集積度が上がる。界面層は、酸化物ターゲットを用いてスパッタリングするか、または金属ターゲットを用いてスパッタリングすることによって金属膜を形成した後、酸素ラジカルや酸素プラズマなどの酸化性雰囲気中で金属膜を酸化することによって形成される。
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