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Paramétrages

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1. WO2007148384 - COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE NÉGATIVE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF IMPRIMÉ ET ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2007/148384
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2006/312358
Date du dépôt international 20.06.2006
CIB
C08G 73/22 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
73Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes C08G12/-C08G71/253
06Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale de la macromolécule; Polyhydrazides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
22Polybenzoxazoles
C08G 73/10 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
73Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes C08G12/-C08G71/253
06Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale de la macromolécule; Polyhydrazides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
G03F 7/004 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
G03F 7/038 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
038Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
C08L 79/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
79Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
G03F 7/0382
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
0382the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
G03F 7/40
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
H01L 21/3122
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
312Organic layers, e.g. photoresist
3121Layers comprising organo-silicon compounds
3122layers comprising polysiloxane compounds
H01L 21/3127
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
312Organic layers, e.g. photoresist
3127Layers comprising fluoro (hydro)carbon compounds, e.g. polytetrafluoroethylene
Y10T 428/24802
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Déposants
  • 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Hitachi Chemical DuPont Microsystems Ltd. [JP/JP]; 〒1120002 東京都文京区小石川一丁目4番1号 Tokyo 4-1, Koishikawa 1-chome, Bunkyou-ku, Tokyo 1120002, JP (AllExceptUS)
  • 峯岸 知典 MINEGISHI, Tomonori; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 峯岸 知典 MINEGISHI, Tomonori; null
Mandataires
  • 酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki; 〒1006019 東京都千代田区霞が関三丁目2番5号 霞が関ビルディング 酒井国際特許事務所 Tokyo Sakai International Patent Office Kasumigaseki Building 2-5, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1006020, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF PATTERN FORMING AND ELECTRONIC PART
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE NÉGATIVE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF IMPRIMÉ ET ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
Abrégé
(EN)
A thermostable negative photosensitive resin composition excelling in sensitivity and resolution; a method of pattern forming in which a pattern of fine configuration excelling in sensitivity, resolution and heat resistance can be obtained; and a highly reliable electronic part with a pattern of fine configuration and properties. There is provided a negative photosensitive resin composition comprising a crosslinking agent capable of crosslinking or polymerization by the action of an acid, which crosslinking agent contains a compound having at least one methylol group or alkoxyalkyl group in each molecule. Preferably, the crosslinking agent capable of crosslinking or polymerization by the action of an acid is any of compounds of the general formula: (I) wherein X is a single bond or 1 to 4-valent organic group; each of R1 and R2 independently is a hydrogen atom or monovalent organic group; n is an integer of 1 to 4; and each of p and q independently is an integer of 0 to 4.
(FR)
Composition de résine photosensible négative thermiquement stable laquelle excelle en termes de sensibilité et de résolution ; procédé de formation d'un motif imprimé permettant d'obtenir un motif imprimé ayant une configuration fine et qui est excellent en termes de sensibilité, de résolution et de résistance à la chaleur ; et élément électronique hautement fiable comprenant un motif imprimé ayant une configuration et des propriétés fines. L'invention concerne une composition de résine photosensible négative comprenant un agent de réticulation capable de réticuler ou de polymériser sous l'action d'un acide, ledit agent de réticulation contenant un composé ayant au moins un groupe méthylol ou un groupe alcoxyalkyle dans chaque molécule. De préférence, l'agent de réticulation capable de réticuler ou de polymériser sous l'action d'un acide est l'un quelconque des composés de formule générale : (I) dans laquelle X est une liaison simple ou un groupe organique ayant une valence de 1 à 4 ; chacun de R1 et R2 représente indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe organique monovalent ; n est un nombre entier valant 1 à 4 ; et chacun de p et q représente indépendamment un nombre entier valant 0 à 4.
(JA)
not available
Également publié en tant que
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