WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007148160) PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE MULTICOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/148160    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/052666
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 20.06.2006
CIB :
G03F 7/09 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
SPARKS, Terry [US/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : SPARKS, Terry; (FR)
Mandataire : WHARMBY, Martin Angus; c/o Impetus IP Ltd, Freescale Semiconductor, Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF MULTI-LAYER LITHOGRAPHY
(FR) PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE MULTICOUCHE
Abrégé : front page image
(EN)A method of patterning a first resist layer (10') according to a pattern formed in a patterned second resist layer (14') formed thereon. A first resist material (10) is first at least partially pyrolyzed so as to form a hard mask resist layer (10'). A surface of the first resist layer (10') then generally functionalized with a silicon-containing group, such as by way of silylation, so as to define a silicon-containing surface layer (12). The first resist layer (10') (including silylated surface layer 12) is then, for example, dry developed according to the pattern formed in the second resist layer to form a corresponding pattern in the hard mask layer (10'). The patterned second resist layer (14') may be, for example, about 80 nm to about 100 nm thick.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motifs sur une première couche de résist (10') conformément à un motif formé sur une seconde couche de résist à motifs (14') formée sur la première couche. Une première matière de résist (10) est tout d'abord au moins partiellement pyrolisée de façon à former une couche de résist à masque dur (10'). Une surface de la première couche de résist (10') est ensuite généralement fonctionnalisée avec un groupe contenant du silicium, tel que par silylation, de façon à définir une couche de surface (12) contenant du silicium. La première couche de résist (10') (comprenant une couche de surface silylée 12) est ensuite, par exemple, révélée à sec conformément au motif formé dans la seconde couche de résist pour obtenir un motif correspondant sur la couche de masque dur (10'). La seconde couche de résist à motifs (14') peut avoir, par exemple, une épaisseur d'environ 80 nm à environ 100 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)