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Paramétrages

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1. WO2007148160 - PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE MULTICOUCHE

Numéro de publication WO/2007/148160
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/IB2006/052666
Date du dépôt international 20.06.2006
CIB
G03F 7/09 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
09caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
CPC
G03F 7/094
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
094Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Déposants
  • FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735, US (AllExceptUS)
  • SPARKS, Terry [US/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • SPARKS, Terry; FR
Mandataires
  • WHARMBY, Martin Angus; c/o Impetus IP Ltd Freescale Semiconductor Grove House Lutyens Close, Chineham Court Basingstoke Hampshire RG24 8AG, GB
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MULTI-LAYER LITHOGRAPHY
(FR) PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE MULTICOUCHE
Abrégé
(EN)
A method of patterning a first resist layer (10') according to a pattern formed in a patterned second resist layer (14') formed thereon. A first resist material (10) is first at least partially pyrolyzed so as to form a hard mask resist layer (10'). A surface of the first resist layer (10') then generally functionalized with a silicon-containing group, such as by way of silylation, so as to define a silicon-containing surface layer (12). The first resist layer (10') (including silylated surface layer 12) is then, for example, dry developed according to the pattern formed in the second resist layer to form a corresponding pattern in the hard mask layer (10'). The patterned second resist layer (14') may be, for example, about 80 nm to about 100 nm thick.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation de motifs sur une première couche de résist (10') conformément à un motif formé sur une seconde couche de résist à motifs (14') formée sur la première couche. Une première matière de résist (10) est tout d'abord au moins partiellement pyrolisée de façon à former une couche de résist à masque dur (10'). Une surface de la première couche de résist (10') est ensuite généralement fonctionnalisée avec un groupe contenant du silicium, tel que par silylation, de façon à définir une couche de surface (12) contenant du silicium. La première couche de résist (10') (comprenant une couche de surface silylée 12) est ensuite, par exemple, révélée à sec conformément au motif formé dans la seconde couche de résist pour obtenir un motif correspondant sur la couche de masque dur (10'). La seconde couche de résist à motifs (14') peut avoir, par exemple, une épaisseur d'environ 80 nm à environ 100 nm.
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