Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007146235 - DISPOSITIF OPTO-ÉLECTRONIQUE AU SOI INCLUANT UNE RÉGION ACTIVE ONDULÉE

Numéro de publication WO/2007/146235
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/013694
Date du dépôt international 11.06.2007
CIB
G02F 1/025 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
025dans une structure de guide d'ondes optique
CPC
G02F 1/025
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
015based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
025in an optical waveguide structure
G02F 1/2257
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
21by interference
225in an optical waveguide structure
2257the optical waveguides being made of semiconducting material
Déposants
  • SIOPTICAL. INC. [US/US]; 7540 Windsor Drive, Lower Level Allentown, PA 18195, US (AllExceptUS)
  • MONTGOMERY, Robert, Keith [US/US]; US (UsOnly)
  • PATEL, Vipulkumar [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • MONTGOMERY, Robert, Keith; US
  • PATEL, Vipulkumar; US
Mandataires
  • KOBA, Wendy, W.; PO Box 556 Springtown, PA 18081, US
Données relatives à la priorité
11/807,95931.05.2007US
60/813,93715.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SOI-BASED OPTO-ELECTRONIC DEVICE INCLUDING CORRUGATED ACTIVE REGION
(FR) DISPOSITIF OPTO-ÉLECTRONIQUE AU SOI INCLUANT UNE RÉGION ACTIVE ONDULÉE
Abrégé
(EN)
The surface silicon layer (SOI layer) of an SOI-based optical modulator is processed to exhibit a corrugated surface along the direction of optical signal propagation. The required dielectric layer (i.e., relatively thin 'gate oxide') is formed over the corrugated structure in a manner that preserves the corrugated topology. A second silicon layer, required to form the modulator structure, is then formed over the gate oxide in a manner that follows the corrugated topology, where the overlapping portion of the corrugated SOI layer, gate oxide and second silicon layer defines the active region of the modulator. The utilization of the corrugated active region increases the area over which optical field intensity will overlap with the free carrier modulation region, improving the modulator's efficiency.
(FR)
Selon l'invention, la couche de surface au silicium (couche au SOI) d'un modulateur optique au SOI est traitée pour obtenir une surface ondulée dans la direction de propagation du signal optique. La couche diélectrique requise (à savoir, un 'oxyde de grille' relativement fin) est formée sur la structure ondulée de manière à préserver la topologie ondulée. Une seconde couche de silicium, nécessaire pour former la structure de modulateur, est ensuite formée sur l'oxyde de grille de manière à suivre la topologie ondulée, là où la partie de chevauchement de la couche ondulée au SOI, de l'oxyde de grille et de la seconde couche au silicium définit la région active du modulateur. L'utilisation de la région active ondulée augmente la zone sur laquelle l'intensité du champ optique coïncidera avec la région de modulation du porteur libre, améliorant l'efficacité du modulateur.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international