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Paramétrages

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1. WO2007146065 - PRÉPARATIONS ET MÉTHODES DE POLISSAGE DE MATÉRIAUX EN NITRURE DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2007/146065
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/013424
Date du dépôt international 07.06.2007
CIB
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
Déposants
  • CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; Legal Department 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504, US
Inventeurs
  • DYSARD, Jeffrey; US
  • ANJUR, Sriram; US
  • JOHNS, Timothy; US
  • CHEN, Zhan; US
Mandataires
  • WESEMAN, Steven ; Associate General Counsel, Intellectual Property Cabot Microelectronics Corporation 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504, US
Données relatives à la priorité
11/448,20507.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COMPOSITIONS AND METHODS FOR POLISHING SILICON NITRIDE MATERIALS
(FR) PRÉPARATIONS ET MÉTHODES DE POLISSAGE DE MATÉRIAUX EN NITRURE DE SILICIUM
Abrégé
(EN)
The present invention provides a method for polishing silicon nitride-containing substrates. The method comprises abrading a surface of a silicon nitride substrate with a polishing composition, which comprises colloidal silica, at least one acidic component, and an aqueous carrier. The at least one acidic component has a pKa in the range of 1 to 4.5. The composition has a pH in the range of 0.5 pH units less than the pKa of the at least one acidic component to 1.5 pH units greater than the pKa.
(FR)
La présente invention concerne une méthode de polissage de substrats contenant du nitrure de silicium. La méthode comprend l'abrasion d'une surface de substrats de nitrure de silicium à l'aide d'une préparation de polissage, qui comprend de la silice colloïdale, au moins un composant acide et un vecteur aqueux. Le ou les composants acides ont un pKa compris entre 1 et 4,5. La préparation à un pH compris entre le pKa du ou des composants acides moins 0,5 unité de pH et le pKa du ou des composants acides plus 1,5 unités de pH.
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