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Paramétrages

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1. WO2007145848 - AMÉLIORATION DE LA SENSIBILITÉ D'UN CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2007/145848
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/012918
Date du dépôt international 01.06.2007
CIB
H01L 27/148 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
148Capteurs d'images à couplage de charge
CPC
H01L 27/14806
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
148Charge coupled imagers
14806Structural or functional details thereof
H01L 27/1485
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
148Charge coupled imagers
14831Area CCD imagers
1485Frame transfer
H01L 27/14887
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
148Charge coupled imagers
14887Blooming suppression
Déposants
  • EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street Rochester, New York 14650-2201, US (AllExceptUS)
  • MEISENZAHL, Eric John [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • MEISENZAHL, Eric John; US
Représentant commun
  • EASTMAN KODAK COMPANY; 343 State Street Rochester, New York 14650-2201, US
Données relatives à la priorité
11/449,27708.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IMPROVING FULL FRAME CCD SENSITIVITY BY BIASING LATERAL OVERFLOW DRAIN
(FR) AMÉLIORATION DE LA SENSIBILITÉ D'UN CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
An imaging apparatus includes (a) a full-frame, charge-coupled device having (i) a conductive layer of a first dopant type; (ii) a plurality of pixels arranged as a charge-coupled device in the conductive layer that collects charge in response to incident light and transfers the collected charge; (iii) an overflow drain of a dopant type opposite the first type disposed in the conductive layer and laterally adjacent to each pixel; and the apparatus having (b) a voltage supply connected to the lateral overflow drain that is at a first voltage during readout and at a second voltage that is lower than the first voltage during integration.
(FR)
L'invention concerne un appareil d'imagerie comprenant (a) un dispositif à transfert de charges plein cadre ayant (i) une couche conductrice d'un premier type de dopant, (ii) une pluralité de pixels agencés en dispositif à transfert de charges dans la couche conductrice qui collecte les charges en réponse à la lumière incidente et qui transfère les charges collectées, (iii) un drain d'évacuation de charges d'un type de dopant opposé à celui du premier type disposé dans la couche conductrice et latéralement adjacent à chaque pixel; et l'appareil ayant, (b) une alimentation reliée au drain d'évacuation de charges latéral qui est à une première tension pendant la lecture et à une seconde tension qui est inférieure à la première tension, pendant l'intégration.
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