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Paramétrages

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1. WO2007145513 - PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LA DÉPOSITION D'UNE COUCHE ATOMIQUE UTILISANT UN PLASMA À DÉCHARGE LUMINESCENTE À PRESSION ATMOSPHÉRIQUE

Numéro de publication WO/2007/145513
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/NL2007/050270
Date du dépôt international 07.06.2007
CIB
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/509 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
50au moyen de décharges électriques
505utilisant des décharges à radiofréquence
509utilisant des électrodes internes
CPC
C23C 16/45542
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45523Pulsed gas flow or change of composition over time
45525Atomic layer deposition [ALD]
45527characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
45536Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
45542Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
C23C 16/45551
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45523Pulsed gas flow or change of composition over time
45525Atomic layer deposition [ALD]
45544characterized by the apparatus
45548having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
45551for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
C23C 16/45595
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45595Atmospheric CVD gas inlets with no enclosed reaction chamber
C23C 16/515
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
50using electric discharges
515using pulsed discharges
Déposants
  • FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE B.V. [NL/NL]; Oudenstaart 1 NL-5047 TK Tilburg, NL (AllExceptUS)
  • DE VRIES, Hindrik, Willem [NL/NL]; NL (UsOnly)
  • VAN DEN SANDEN, Mauritius, Cornelius, Maria [NL/NL]; NL (UsOnly)
  • CREATORE, Mariadriana [IT/NL]; NL (UsOnly)
  • KESSELS, W., M., M. [NL/NL]; NL (UsOnly)
Inventeurs
  • DE VRIES, Hindrik, Willem; NL
  • VAN DEN SANDEN, Mauritius, Cornelius, Maria; NL
  • CREATORE, Mariadriana; NL
  • KESSELS, W., M., M.; NL
Mandataires
  • VAN WESTENBRUGGE, Andries; Postbus 29720 NL-2502 LS Den Haag, NL
Données relatives à la priorité
06115603.016.06.2006EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION USING AN ATMOSPHERIC PRESSURE GLOW DISCHARGE PLASMA
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LA DÉPOSITION D'UNE COUCHE ATOMIQUE UTILISANT UN PLASMA À DÉCHARGE LUMINESCENTE À PRESSION ATMOSPHÉRIQUE
Abrégé
(EN)
Apparatus and method for atomic layer deposition on a surface of a substrate (6) in a treatment space. A gas supply device (15, 16) is present for providing various gas mixtures to the treatment space. The gas supply device (15, 16) is arranged to provide a gas mixture with a precursor material to the treatment space for allowing reactive surface sites to react with precursor material molecules to give a surface covered by a monolayer of precursor molecules attached via the reactive sites to the surface of the substrate. Subsequently, a gas mixture comprising a reactive agent capable to convert the attached precursor molecules to active precursor sites is provided. A plasma generator (10) is present for generating an atmospheric pressure plasma in the gas mixture comprising the reactive agent.
(FR)
La présente invention concerne un appareil et procédé pour la déposition d'une couche atomique sur une surface d'un substrat (6) dans un espace de traitement. Un dispositif d'alimentation en gaz (15, 16) est présent pour fournir divers mélanges de gaz à l'espace de traitement. Le dispositif d'alimentation en gaz (15, 16) est disposé afin de fournir un mélange de gaz avec un matériau précurseur à l'espace de traitement pour permettre à des sites superficiels réactifs de réagir à des molécules de matériau précurseur pour donner une surface recouverte par une monocouche de molécules précurseur fixées par le biais des sites réactifs à la surface du substrat. Ensuite, un mélange de gaz comprenant un agent réactif en mesure de convertir les molécules précurseur fixées en sites précurseur actifs est fourni. Un générateur de plasma (10) est présent afin de générer un plasma à pression atmosphérique dans le mélange de gaz comprenant l'agent réactif.
Également publié en tant que
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