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1. (WO2007145474) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION EN CONTINU DE SILICIUM POLYCRISTALLIN EN UTILISANT UN RÉACTEUR À LIT FLUIDISÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/145474    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/002880
Date de publication : 21.12.2007 Date de dépôt international : 14.06.2007
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 25/00 (2006.01)
Déposants : KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY [KR/KR]; 100 Jang-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-343 (KR) (Tous Sauf US).
KIM, Hee Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOON, Kyung Koo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Yong Ki [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHOI, Won Choon [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Hee Young; (KR).
YOON, Kyung Koo; (KR).
PARK, Yong Ki; (KR).
CHOI, Won Choon; (KR)
Mandataire : PAIK, Nam-Hoon; 14th Fl., KTB Network Building, 826-14, Yeoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-769 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0053826 15.06.2006 KR
Titre (EN) METHOD FOR CONTINUAL PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON USING A FLUIDIZED BED REACTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION EN CONTINU DE SILICIUM POLYCRISTALLIN EN UTILISANT UN RÉACTEUR À LIT FLUIDISÉ
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a method for continual preparation of granular polycrystalline silicon using a fluidized bed reactor, enabling a stable, long-term operation of the reactor by effective removal of silicon deposit accumulated on the inner wall of the reactor tube. The method comprises (i) a silicon particle preparation step, wherein silicon deposition occurs on the surface of the silicon particles, while silicon deposit is accumulated on the inner wall of the reactor tube encompassing the reaction zone; (ii) a silicon particle partial discharging step, wherein a part of the silicon particles remaining inside the reactor tube is discharged out of the fluidized bed reactor so that the height of the bed of the silicon particles does not exceed the height of the reaction gas outlet; and (iii) a silicon deposit removal step, wherein the silicon deposit is removed by supplying an etching gas into the reaction zone.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation en continu de silicium polycristallin granulaire à l'aide d'un réacteur à lit fluidisé, le procédé assurant un fonctionnement stable à long terme du réacteur grâce à l'élimination efficace du dépôt de silicium qui s'accumule sur la paroi interne du tube du réacteur. Le procédé comprend (i) une étape de préparation de particules de silicium pendant laquelle un dépôt de silicium se produit sur la surface des particules de silicium, tandis qu'un dépôt de silicium s'accumule sur la paroi interne du tube du réacteur comprenant la zone de réaction ; (ii) une étape de décharge partielle des particules de silicium pendant laquelle une partie des particules de silicium qui se trouvent à l'intérieur du tube du réacteur est déchargée hors du réacteur à lit fluidisé de sorte que la hauteur du lit de particules de silicium ne dépasse pas la hauteur de la sortie du gaz de réaction ; et (iii) une étape d'élimination du dépôt de silicium pendant laquelle le dépôt de silicium est éliminé en envoyant un gaz d'attaque dans la zone de réaction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)