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Paramétrages

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1. WO2007145474 - PROCÉDÉ DE PRÉPARATION EN CONTINU DE SILICIUM POLYCRISTALLIN EN UTILISANT UN RÉACTEUR À LIT FLUIDISÉ

Numéro de publication WO/2007/145474
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2007/002880
Date du dépôt international 14.06.2007
CIB
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
C30B 25/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
CPC
B01J 19/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
19Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
02Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
B01J 2208/00398
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2208Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
00008Controlling the process
00017Controlling the temperature
00389using electric heating or cooling elements
00398inside the reactor bed
B01J 2208/00407
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2208Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
00008Controlling the process
00017Controlling the temperature
00389using electric heating or cooling elements
00407outside the reactor bed
B01J 2208/00415
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2208Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
00008Controlling the process
00017Controlling the temperature
00389using electric heating or cooling elements
00415electric resistance heaters
B01J 2208/00495
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2208Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
00008Controlling the process
00017Controlling the temperature
00477by thermal insulation means
00495using insulating materials or refractories
B01J 2208/00539
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2208Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
00008Controlling the process
00539Pressure
Déposants
  • KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY [KR/KR]; 100 Jang-dong Yuseong-gu Daejeon 305-343, KR (AllExceptUS)
  • KIM, Hee Young [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • YOON, Kyung Koo [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • PARK, Yong Ki [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • CHOI, Won Choon [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • KIM, Hee Young; KR
  • YOON, Kyung Koo; KR
  • PARK, Yong Ki; KR
  • CHOI, Won Choon; KR
Mandataires
  • PAIK, Nam-Hoon; 14th Fl., KTB Network Building 826-14, Yeoksam-dong, Kangnam-ku Seoul 135-769, KR
Données relatives à la priorité
10-2006-005382615.06.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR CONTINUAL PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON USING A FLUIDIZED BED REACTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION EN CONTINU DE SILICIUM POLYCRISTALLIN EN UTILISANT UN RÉACTEUR À LIT FLUIDISÉ
Abrégé
(EN)
There is provided a method for continual preparation of granular polycrystalline silicon using a fluidized bed reactor, enabling a stable, long-term operation of the reactor by effective removal of silicon deposit accumulated on the inner wall of the reactor tube. The method comprises (i) a silicon particle preparation step, wherein silicon deposition occurs on the surface of the silicon particles, while silicon deposit is accumulated on the inner wall of the reactor tube encompassing the reaction zone; (ii) a silicon particle partial discharging step, wherein a part of the silicon particles remaining inside the reactor tube is discharged out of the fluidized bed reactor so that the height of the bed of the silicon particles does not exceed the height of the reaction gas outlet; and (iii) a silicon deposit removal step, wherein the silicon deposit is removed by supplying an etching gas into the reaction zone.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de préparation en continu de silicium polycristallin granulaire à l'aide d'un réacteur à lit fluidisé, le procédé assurant un fonctionnement stable à long terme du réacteur grâce à l'élimination efficace du dépôt de silicium qui s'accumule sur la paroi interne du tube du réacteur. Le procédé comprend (i) une étape de préparation de particules de silicium pendant laquelle un dépôt de silicium se produit sur la surface des particules de silicium, tandis qu'un dépôt de silicium s'accumule sur la paroi interne du tube du réacteur comprenant la zone de réaction ; (ii) une étape de décharge partielle des particules de silicium pendant laquelle une partie des particules de silicium qui se trouvent à l'intérieur du tube du réacteur est déchargée hors du réacteur à lit fluidisé de sorte que la hauteur du lit de particules de silicium ne dépasse pas la hauteur de la sortie du gaz de réaction ; et (iii) une étape d'élimination du dépôt de silicium pendant laquelle le dépôt de silicium est éliminé en envoyant un gaz d'attaque dans la zone de réaction.
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