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Paramétrages

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1. WO2007145406 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOTUBES DE SILICIUM AU MOYEN D'UNE COUCHE MÉTALLIQUE CATALYTIQUE EN FORME DE BEIGNET

Numéro de publication WO/2007/145406
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2006/005308
Date du dépôt international 08.12.2006
CIB
B82B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
3Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C01B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
C01B 33/027
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
027by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
C30B 25/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Déposants
  • ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; 161, Gajeong-dong, Yusong-gu Daejeon-city 305-350, KR (AllExceptUS)
  • PARK, Rae-Man [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • KIM, Sang-Hyeob [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • MAENG, Sunglyul [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • PARK, Jonghyurk [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • PARK, Rae-Man; KR
  • KIM, Sang-Hyeob; KR
  • MAENG, Sunglyul; KR
  • PARK, Jonghyurk; KR
Mandataires
  • Y.P. LEE, MOCK & PARTNERS; 1575-1 Seocho-dong Seocho-gu Seoul 137-875, KR
Données relatives à la priorité
10-2006-005389715.06.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING SILICON NANOTUBES USING DOUGHNUT-SHAPED CATALYTIC METAL LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOTUBES DE SILICIUM AU MOYEN D'UNE COUCHE MÉTALLIQUE CATALYTIQUE EN FORME DE BEIGNET
Abrégé
(EN)
Provided is a method of manufacturing silicon nanotubes including forming non-catalytic metal islands on a substrate; forming catalyst metal doughnuts to surround the non-catalytic metal islands; and growing silicon nanotubes on the catalyst metal doughnuts. The silicon nanotubes are efficiently grown using the catalyst metal doughnuts.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de nanotubes de silicium, le procédé consistant à former des îlots métalliques non catalytiques sur un substrat, à former des beignets métalliques de catalyseur afin d'entourer les îlots métalliques non catalytiques, et à développer les nanotubes de silicium sur les beignets métalliques de catalyseur. Les nanotubes de silicium sont développés efficacement au moyen des beignets métalliques de catalyseur.
Également publié en tant que
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