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Paramétrages

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1. WO2007145373 - CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2007/145373
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/062470
Date du dépôt international 14.06.2007
CIB
H04N 5/335 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
H04N 5/357 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
357Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H04N 5/374 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
H04N 9/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
9Détails des systèmes de télévision en couleurs
04Générateurs de signaux d'image
07avec une seule tête de lecture
CPC
H01L 27/14603
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
H01L 27/14621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14621Colour filter arrangements
H01L 27/14623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14623Optical shielding
H01L 27/14627
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
14627Microlenses
H01L 27/14645
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14645Colour imagers
H04N 2209/046
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
2209Details of colour television systems
04Picture signal generators
041using solid-state devices
042having a single pick-up sensor
045using mosaic colour filter
046Colour interpolation to calculate the missing colour values
Déposants
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 1058001, JP (AllExceptUS)
  • HONDA, Hiroto [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • IIDA, Yoshinori [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • EGAWA, Yoshitaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • ITOH, Goh [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • HONDA, Hiroto; JP
  • IIDA, Yoshinori; JP
  • EGAWA, Yoshitaka; JP
  • ITOH, Goh; JP
Mandataires
  • YOSHITAKE, Kenji ; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité
2006-16505314.06.2006JP
2007-01697126.01.2007JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
A solid-state image sensor has a plurality of pixels, a read-out circuit and a signal processing section. The plurality of pixels includes a plurality of first pixels, a plurality of second pixels, a plurality of third pixels and a plurality of fourth pixels. The signal processing section includes a color acquisition section, a first judgment section configured to determine whether or not the white data value W in the target pixel block is smaller than a predetermined first set value, and a white color correction section configured to perform correction processing of the white color data value W in the target pixel block based on the following Expression (1) when the judgment result of the first judgment section is NO, and to output the white data value W by itself without performing the correction processing based on the Expression (1) when the judgment result of the first determination section is YES; W'=SiCi+S2C2+S3C3...(1) where each of Si, S2/ and S3 is a coefficient that is determined based on a color balance.
(FR)
L'invention concerne un capteur d'image à semi-conducteur possédant une pluralité de pixels, un circuit de lecture et une section de traitement de signaux. La pluralité de pixels contient une pluralité de premiers pixels, une pluralité de seconds pixels, une pluralité de troisièmes pixels et une pluralité de quatrièmes pixels. La section de traitement de signaux contient une section d'acquisition de couleur, une première section d'évaluation configurée pour déterminer si oui ou non la valeur de données de blanc W dans le bloc de pixels cible est plus petite qu'une première valeur fixe prédéterminée, et une section de correction de couleur blanche configurée pour réaliser un traitement de correction de la valeur de données de couleur blanche W dans le bloc de pixels cible sur la base de l'expression suivante (1) lorsque le résultat de l'évaluation de la première section d'évaluation est NON, et pour produire la valeur de données de couleur blanche W proprement dite sans réaliser le traitement de correction sur la base de l'expression (1) lorsque le résultat de l'évaluation de la première section d'évaluation est OUI; W'=S1C1+S2C2+S3C3...(1) où chacun de S1, S2 et S3 est un coefficient qui est déterminé sur la base d'un équilibre des couleurs.
Également publié en tant que
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