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Paramétrages

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1. WO2007145088 - NANOPARTICULE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2007/145088
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/061179
Date du dépôt international 01.06.2007
CIB
C09K 11/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08contenant des substances inorganiques luminescentes
B82B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
3Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C01B 33/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
113Oxydes de silicium; Leurs hydrates
12Silice; Ses hydrates, p.ex. acide silicique lépidoïque
18Préparation de silice finement divisée ni sous forme de sol ni sous forme de gel; Post-traitement de cette silice
CPC
C01B 33/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
113Silicon oxides; Hydrates thereof
12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
Déposants
  • コニカミノルタエムジー株式会社 KONICA MINOLTA MEDICAL & GRAPHIC, INC. [JP/JP]; 〒1918511 東京都日野市さくら町1番地 Tokyo 1, Sakura-machi, Hino-shi, Tokyo 1918511, JP (AllExceptUS)
  • 関口 満 SEKIGUCHI, Mitsuru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 塚田 和也 TSUKADA, Kazuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 関口 満 SEKIGUCHI, Mitsuru; JP
  • 塚田 和也 TSUKADA, Kazuya; JP
Données relatives à la priorité
2006-16441914.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) NANOPARTICULE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体ナノ粒子及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor nanoparticle which is larger than conventional core/shell type nanosize semiconductor particles, easy to handle and has a large emission quantity due to a larger emission area, with no emission wavelength change. A method for manufacturing such semiconductor nanoparticle is also provided. The semiconductor nanoparticle has a hollow section at the center, and has a core layer and a shell layer. The thickness of the core layer is 2-10nm. The core layer and the shell layer are formed of different types of semiconductors, and a bandgap of the semiconductor forming the shell layer is larger than that of a crystal forming the core layer.
(FR)
La présente invention concerne une nanoparticule semi-conductrice, plus grande que les nanoparticules semi-conductrices de type à centre/coque conventionnel, simple à gérer et qui possède une grande quantité d'émission due à une zone d'émission supérieure, sans changement de la longueur d'onde d'émission. L'invention concerne également un procédé de fabrication de ces nanoparticules semi-conductrices. La nanoparticule semi-conductrice possède une section creuse au centre et une couche de centre et une couche de coque. L'épaisseur de la couche du centre est de 2 à 10 nm. La couche du centre et la couche de la coque sont formées de types différents de semi-conducteurs, ainsi que d'une largeur de bande du semi-conducteur formant la couche de coque supérieure à celle d'un cristal formant la couche du centre.
(JA)
 本発明は、発光波長は変更せずに、従来のコア/シェル型のナノサイズの半導体粒子よりも大きく、取り扱いが容易で、発光領域が大きい分、発光量も大きい半導体ナノ粒子及びその製造方法を提供する。この半導体ナノ粒子は、中心部に空洞部を有し、コア層とシェル層を有し、該コア層の厚さが2~10nmの半導体ナノ粒子において、該コア層と該シェル層がそれぞれ異なる半導体で形成されており、該シェル層を形成する半導体のバンドギャップが、該コア層を形成する結晶のバンドギャップより大きいことを特徴とする。
Également publié en tant que
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