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Paramétrages

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1. WO2007145070 - STRUCTURE DE TABLE DE PLACEMENT ET APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE

Numéro de publication WO/2007/145070
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060778
Date du dépôt international 28.05.2007
CIB
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C23C 16/46 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
46caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H05B 3/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
02Détails
06Eléments chauffants combinés constructivement avec des éléments d'accouplement ou avec des supports
H05B 3/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
20Eléments chauffants ayant une surface s'étendant essentiellement dans deux dimensions, p.ex. plaques chauffantes
H05B 3/74 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
68Dispositions pour le chauffage spécialement adaptées aux plaques de cuisinière ou aux plaques chaudes analogues
74Plaques non métalliques
CPC
C23C 16/4581
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4581characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
C23C 16/48
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
48by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
H01L 21/67103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67103mainly by conduction
H05B 3/143
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
10Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
12characterised by the composition or nature of the conductive material
14the material being non-metallic
141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
143applied to semiconductors, e.g. wafers heating
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目3番6号 Tokyo 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
  • 小松 智仁 KOMATSU, Tomohito [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 小松 智仁 KOMATSU, Tomohito; JP
Mandataires
  • 吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji; 〒1000005 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 富士ビル323号 協和特許法律事務所 Tokyo Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité
2006-16757616.06.2006JP
2007-08194927.03.2007JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLACING TABLE STRUCTURE AND HEAT TREATMENT APPARATUS
(FR) STRUCTURE DE TABLE DE PLACEMENT ET APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 載置台構造及び熱処理装置
Abrégé
(EN)
Provided is a placing table structure having a replaceable heating plate by removably arranging the heating plate in a heating plate storing chamber. A placing table structure (29) is provided with a placing table (32), which is arranged inside a processing chamber (4) and places a subject (W) to be treated, for performing prescribed heat treatment to the subject, and a cylindrical supporting column (30) which supports the placing table by making the placing table stand from the bottom portion of the processing chamber. The placing table (32) is provided with a heating plate (40) having a heating body (38) composed of an electrical heating source embedded in a heat resistant material, and a heating plate storing chamber (42) composed of a heat resistant anticorrosive material for removably storing the heating plate. The heating plate storing chamber (42) includes a chamber main body (76) having an opening, and a cover section (78) attached to the chamber main body (76). Thus, the heating plate (40) is permitted to be replaced.
(FR)
La présente invention concerne une structure de table de placement ayant une plaque chauffante remplaçable en disposant de manière amovible la plaque chauffante dans une chambre de stockage de la plaque chauffante. Une structure de table de placement (29) est prévue avec une table de placement (32), laquelle est disposée à l'intérieur d'une chambre de traitement (4) et met en place un sujet (W) à traiter, pour réaliser un traitement thermique prescrit au sujet, et une colonne de soutien cylindrique (30) qui soutient la table de placement en faisant s'élever la table de placement à partir de la partie inférieure de la chambre de traitement. La table de placement (32) est prévue avec une plaque chauffante (40) ayant un corps chauffant (38) composé d'une source de chauffage électrique incrustée dans un matériau résistant à la chaleur, et une chambre de stockage de la plaque chauffante (42) composée d'un matériau anticorrosif résistant à la chaleur pour le stockage amovible de la plaque chauffante. La chambre de stockage de la plaque chauffante (42) comprend un corps de chambre principal (76) ayant une ouverture, et une section de couvercle (78) fixée au corps de chambre principal (76). Ainsi, la plaque chauffante (40) peut être remplacée.
(JA)
not available
Également publié en tant que
KR1020087030562
US12336207
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international