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Paramétrages

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1. WO2007144130 - PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE DANS UN ENVIRONNEMENT SOUS VIDE

Numéro de publication WO/2007/144130
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/005132
Date du dépôt international 11.06.2007
CIB
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 51/001
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0008using physical deposition, e.g. sublimation, sputtering
001Vacuum deposition
H01L 51/0011
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0008using physical deposition, e.g. sublimation, sputtering
0011selective deposition, e.g. using a mask
H01L 51/0017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0014for changing the shape of the device layer, e.g. patterning
0017etching of an existing layer
H01L 51/5036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5012Electroluminescent [EL] layer
5036Multi-colour light emission, e.g. colour tuning, polymer blend, stack of electroluminescent layers
Déposants
  • NOVALED AG [DE/DE]; Tatzberg 49 01307 Dresden, DE (AllExceptUS)
  • ROMAINCZYK, Tilmann [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • GROSS, Harald [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • ROMAINCZYK, Tilmann; DE
  • GROSS, Harald; DE
Mandataires
  • BITTNER, Thomas, L. ; Boehmert & Boehmert Hollerallee 32 28209 Bremen, DE
Données relatives à la priorité
06012336.114.06.2006EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR SURFACE PROCESSING IN A VACUUM ENVIRONMENT
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE DANS UN ENVIRONNEMENT SOUS VIDE
Abrégé
(EN)
The invention refers to a method for surface processing in a vacuum environment, comprising the following steps: providing a substrate in the vacuum environment; providing ionized particles of a first material in the vacuum environment; bringing the ionized particles of the first material into a micro environment of a surface of the substrate through the vacuum environment; providing a micro field characterized by a first field component in the micro environment of the surface, wherein the first field component comprises at least one of an electric field component and a magnetic field component and wherein an interaction between the first field component and the ionized particles of the first material is substantially limited to the micro environment of the surface; and guiding in the micro environment the ionized particles of the first material by the first field component to the surface of the substrate, thereby bringing the ionized particles of the first material into contact with the surface of the substrate at predefined locations on the surface and processing the surface in the vacuum environment, wherein the step of processing the surface comprises at least one of removing surface particles from the surface and depositing at least some of the ionized particles of the first material on the surface.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement de surface dans un environnement sous vide, comportant les étapes suivantes : disposer un substrat dans l'environnement sous vide ; disposer des particules ionisées d'une première matière dans l'environnement sous vide ; amener les particules ionisées de la première matière dans un micro-environnement d'une surface du substrat à travers l'environnement sous vide ; disposer un micro-champ caractérisé par une première composante de champ dans le micro-environnement de la surface, la première composante de champ comprenant au moins l'une parmi une composante de champ électrique et une composante de champ magnétique, et où une interaction entre la première composante de champ et les particules ionisées de la première matière sont limitée de façon substantielle au micro-environnement de la surface ; et guider dans le micro-environnement les particules ionisées de la première matière par la première composante de champ sur la surface du substrat, permettant ainsi d'amener les particules ionisées de la première matière en contact à la surface du substrat à des emplacements prédéfinis sur la surface et de traiter la surface dans l'environnement sous vide, l'étape de traitement de la surface comprenant au moins l'un parmi le retrait des particules de surface à partir de la surface et le dépôt d'au moins une partie des particules ionisées de la première matière sur la surface.
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