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1. (WO2007144053) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE ISOLATION EN TRANCHÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHÉES DANS UN CORPS DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/144053    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/004324
Date de publication : 21.12.2007 Date de dépôt international : 15.05.2007
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : AUSTRIAMICROSYSTEMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten, A-8141 Unterpremstätten (AT) (Tous Sauf US).
SCHREMS, Martin [AT/AT]; (AT) (US Seulement).
PARK, Jong Mun [KR/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : SCHREMS, Martin; (AT).
PARK, Jong Mun; (AT)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstr. 55, 80339 Münich (DE)
Données relatives à la priorité :
06012076.3 12.06.2006 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A TRENCH ISOLATION AND METHOD OF MANUFACTURING TRENCHES IN A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE ISOLATION EN TRANCHÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHÉES DANS UN CORPS DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)As a first step a novel low cost integration method for a plurality of deep isolation trenches on the same chip is provided. The trenches have an additional n-type or p-type doped region surrounding the trench - silicon interface. Providing such variations of doping the trench interface is achieved by using implantation masking layers or doped glass films structured by a simple resist mask. By simple layout variation of the top dimension of the trench various trench depths at the same time can be ensured. Using this method, wider trenches will be deeper and smaller trenches will be shallower.
(FR)Dans un premier temps, le nouveau procédé consiste à intégrer à bas prix une pluralité de tranchées d'isolation profondes sur la même puce. Les tranchées ont une zone dopée de type n ou de type p supplémentaire entourant l'interface tranchée-silicium. Ces variations de dopage de l'interface de tranchée sont obtenues en utilisant des couches de masquage de l'implantation ou des films en verre dopés structurés par un simple masque de réserve. Par une simple variation de la disposition de la dimension supérieure de la tranchée, différentes profondeurs de tranchées peuvent être simultanément assurées. En utilisant ce procédé, les tranchées plus larges seront plus profondes et les tranchées plus petites seront moins profondes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)