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1. (WO2007143110) CONTRÔLE DE DOSE À BOUCLE FERMÉE POUR UNE IMPLANTATION D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/143110    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/012966
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 01.06.2007
CIB :
H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive, Beverly, Massachusetts 01915 (US) (Tous Sauf US).
HUANG, Yongzhang [CN/US]; (US) (US Seulement).
YE, John [US/US]; (US) (US Seulement).
GRAF, Michael [CA/US]; (US) (US Seulement).
FREER, Brian [US/US]; (US) (US Seulement).
GODFREY, Christopher [US/US]; (US) (US Seulement).
SPLINTER, Patrick [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HUANG, Yongzhang; (US).
YE, John; (US).
GRAF, Michael; (US).
FREER, Brian; (US).
GODFREY, Christopher; (US).
SPLINTER, Patrick; (US)
Données relatives à la priorité :
60/810,430 02.06.2006 US
Titre (EN) DOSE CLOSE LOOP CONTROL FOR ION IMPLANTATION
(FR) CONTRÔLE DE DOSE À BOUCLE FERMÉE POUR UNE IMPLANTATION D'IONS
Abrégé : front page image
(EN)A method derives a terminal return current to adjust and/or compensate for variations in beam current during ion implantation. One or more individual upstream current measurements are obtained from a region of an ion implantation system. A terminal return current, or composite upstream current, is derived from the one or more current measurements. The terminal return current is then employed to adjust scanning or dose of an ion beam in order to facilitate beam current uniformity at a target wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé dérivant un courant de retour terminal pour ajuster et/ou compenser les variations dans un courant de faisceau pendant une implantation d'ions. Une ou plusieurs mesures de courant individuelles en amont sont obtenues à partir d'une région d'un système d'implantation d'ions. Un courant de retour terminal ou courant composite en amont est dérivé d'une ou plusieurs différentes mesures de courant. Le courant de retour terminal est alors employé pour ajuster le balayage ou la dose d'un faisceau d'ions afin de faciliter l'uniformité de courant de faisceau sur une plaquette cible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)