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Paramétrages

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1. WO2007143110 - CONTRÔLE DE DOSE À BOUCLE FERMÉE POUR UNE IMPLANTATION D'IONS

Numéro de publication WO/2007/143110
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/012966
Date du dépôt international 01.06.2007
CIB
H01J 37/317 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
317pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
CPC
H01J 2237/24507
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
245Detection characterised by the variable being measured
24507Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
H01J 2237/24535
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
245Detection characterised by the variable being measured
24507Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
24514Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
24535Beam current
H01J 2237/31703
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
317Processing objects on a microscale
31701Ion implantation
31703Dosimetry
H01J 37/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
304Controlling tubes by information coming from the objects ; or from the beam; , e.g. correction signals
H01J 37/3171
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3171for ion implantation
Déposants
  • AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive Beverly, Massachusetts 01915, US (AllExceptUS)
  • HUANG, Yongzhang [CN/US]; US (UsOnly)
  • YE, John [US/US]; US (UsOnly)
  • GRAF, Michael [CA/US]; US (UsOnly)
  • FREER, Brian [US/US]; US (UsOnly)
  • GODFREY, Christopher [US/US]; US (UsOnly)
  • SPLINTER, Patrick [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • HUANG, Yongzhang; US
  • YE, John; US
  • GRAF, Michael; US
  • FREER, Brian; US
  • GODFREY, Christopher; US
  • SPLINTER, Patrick; US
Données relatives à la priorité
60/810,43002.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DOSE CLOSE LOOP CONTROL FOR ION IMPLANTATION
(FR) CONTRÔLE DE DOSE À BOUCLE FERMÉE POUR UNE IMPLANTATION D'IONS
Abrégé
(EN)
A method derives a terminal return current to adjust and/or compensate for variations in beam current during ion implantation. One or more individual upstream current measurements are obtained from a region of an ion implantation system. A terminal return current, or composite upstream current, is derived from the one or more current measurements. The terminal return current is then employed to adjust scanning or dose of an ion beam in order to facilitate beam current uniformity at a target wafer.
(FR)
L'invention concerne un procédé dérivant un courant de retour terminal pour ajuster et/ou compenser les variations dans un courant de faisceau pendant une implantation d'ions. Une ou plusieurs mesures de courant individuelles en amont sont obtenues à partir d'une région d'un système d'implantation d'ions. Un courant de retour terminal ou courant composite en amont est dérivé d'une ou plusieurs différentes mesures de courant. Le courant de retour terminal est alors employé pour ajuster le balayage ou la dose d'un faisceau d'ions afin de faciliter l'uniformité de courant de faisceau sur une plaquette cible.
Également publié en tant que
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