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Paramétrages

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1. WO2007143056 - MÉTROLOGIE D'ALIGNEMENT AVEC SÉLECTION D'ORDRE

Numéro de publication WO/2007/143056
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/012875
Date du dépôt international 31.05.2007
CIB
G01N 21/00 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
G01B 11/30 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
BMESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
11Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de moyens optiques
30pour mesurer la rugosité ou l'irrégularité des surfaces
CPC
G03F 7/70633
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70633Overlay
Déposants
  • KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; One Technology Drive Milpitas, California 95035, US (AllExceptUS)
  • KANDEL, Daniel [IL/IL]; IL (UsOnly)
  • LEVINSKI, Vladimir [IL/IL]; IL (UsOnly)
  • ADEL, Michael, E. [IL/IL]; IL (UsOnly)
  • SELIGSON, Joel, L. [US/IL]; IL (UsOnly)
Inventeurs
  • KANDEL, Daniel; IL
  • LEVINSKI, Vladimir; IL
  • ADEL, Michael, E.; IL
  • SELIGSON, Joel, L.; IL
Mandataires
  • OLYNICK, Mary, R. ; Beyer Weaver LLP P.O. Box 70250 Oakland, California 94612-0250, US
Données relatives à la priorité
11/754,89229.05.2007US
60/810,56001.06.2006US
60/897,63726.01.2007US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ORDER SELECTED OVERLAY METROLOGY
(FR) MÉTROLOGIE D'ALIGNEMENT AVEC SÉLECTION D'ORDRE
Abrégé
(EN)
Disclosed are apparatus and methods for measuring a characteristic, such as overlay, of a semiconductor target. In general, order-selected imaging and/or illumination is performed while collecting an image from a target using a metrology system. In one implementation, tunable spatial modulation is provided only in the imaging path of the system. In other implementations, tunable spatial modulation is provided in both the illumination and imaging paths of the system. In a specific implementation, tunable spatial modulation is used to image side-by-side gratings with diffraction orders ±n. The side-by-side gratings may be in different layers or the same layer of a semiconductor wafer. The overlay between the structures is typically found by measuring the distance between centers symmetry of the gratings. In this embodiment, only orders ±n for a given choice of n (where n is an integer and not equal to zero) are selected, and the gratings are only imaged with these diffraction orders.
(FR)
L'invention concerne un appareil et des procédés de mesure d'une caractéristique, telle que l'alignement, d'une cible de semiconducteur. En général, l'imagerie et / ou l'illumination avec sélection d'ordre sont effectuées pendant le recueil d'une image issue d'une cible à l'aide d'un système de métrologie. Dans une réalisation, une modulation spatiale accordable n'est rendue possible que sur le trajet d'imagerie du système. Dans d'autres réalisations, la modulation spatiale accordable est possible à la fois sur les trajets d'illumination et d'imagerie du système. Dans une réalisation particulière, la modulation spatiale accordable est utilisée pour générer une image de réseaux placés côte à côte dont les ordres de diffraction valent ±n. Les réseaux côte à côte peuvent se trouver dans des couches différentes ou dans la même couche d'une tranche de semiconducteur. L'alignement entre les structures est typiquement déterminé en mesurant la distance entre les centres de symétrie des réseaux. Dans ce mode de réalisation, seuls les ordres ±n pour un choix de n donné (n étant un entier non nul) sont sélectionnés et les images des réseaux ne sont générées que pour ces ordres de diffraction.
Également publié en tant que
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