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1. (WO2007143028) MatÉriaux À faible constante diÉlectrique prÉparÉs À partir d'agrÉgats de fullerÈnes solubles
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/143028    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/012835
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 31.05.2007
CIB :
H01L 21/469 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01)
Déposants : ROSKILDE SEMICONDUCTOR LLC [US/US]; 2215-B Renaissance Drive, Suite 5, Las Vegas, NV 89119 (US) (Tous Sauf US).
AYERS, Michael, Raymond [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AYERS, Michael, Raymond; (US)
Mandataire : MESSINGER, Michael, V.; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox P.L.L.C., 1100 New York Avenue, N.W., Washington, DC 20005-3934 (US)
Données relatives à la priorité :
60/809,403 31.05.2006 US
Titre (EN) LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS PREPARED FROM SOLUBLE FULLERENE CLUSTERS
(FR) MatÉriaux À faible constante diÉlectrique prÉparÉs À partir d'agrÉgats de fullerÈnes solubles
Abrégé : front page image
(EN)This disclosure relates generally to polymeric networks of fullerene compounds, to methods of preparing precursors for such networks, and to their subsequent use as low dielectric constant materials in microelectronic devices.
(FR)Cette invention concerne de façon générale des réseaux polymères de composés de fullerènes, des procédés de préparation de précurseurs de tels réseaux, et leur utilisation consécutive comme matériaux à faible constante diélectrique dans des dispositifs microélectroniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)