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1. (WO2007143008) structure semi-conductrice pour utilisation dans un transistor à induction statique à la tension de panne grille à drain améliorée
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/143008    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/012801
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 31.05.2007
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, CA 90067-2199 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : CHEN, Li-Shu; (US).
VELIADIS, Victor; (US)
Mandataire : MAGOON, Sumeet; Andrews Kurth LLP, 1350 I Street N.W., Suite 1100, Washington, DC 20005 (US)
Données relatives à la priorité :
11/444,497 01.06.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR HAVING IMPROVED GATE-TO-DRAIN BREAKDOWN VOLTAGE
(FR) structure semi-conductrice pour utilisation dans un transistor à induction statique à la tension de panne grille à drain améliorée
Abrégé : front page image
(EN)A structure for use in a static induction transistor includes a semiconductor body having first and second semiconductor layers on a substrate, with the second layer having a dopant concentration of around an order of magnitude higher than the dopant concentration of the first layer. A plurality of sources are located on the second layer, A plurality of gates are ion implanted in the second layer, an end one of the gates being connected to all of the plurality of gates and constituting a gate bus. The gate bus has an extension connecting the gate bus in the second layer of higher dopant concentration to the first layer of lower dopant concentration. The extension is ion implanted in either a series of steps or a sloping surface which is formed in the first and second layers.
(FR)L'invention concerne une structure pour utilisation dans un transistor à induction statique comprenant un corps semi-conducteur ayant une première couche semi-conductrice et une seconde couche semi-conductrice sur un substrat, avec la seconde couche possédant une concentration de dopant d'environ un ordre de grandeur supérieur à la concentration de dopant de la première couche. Une pluralité de sources sont situées sur la seconde couche. Une pluralité de grilles sont implantées par ions dans la seconde couche, une extrémité des grilles étant connectée à la pluralité de grilles et constituant un bus de grilles. Le bus de grilles présente une rallonge connectant le bus de grilles dans la seconde couche de concentration de dopant supérieure à la première couche de concentration de dopant inférieure. La rallonge est implantée par ions dans soit une série de phases soit une surface inclinée vers le bas qui est formée dans la première couche et la seconde couche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)