Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007142894 - APPAREIL ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN MOSFET AVEC UN DIÉLECTRIQUE DE GÂCHETTE DÉPOSÉ EN COUCHE ATOMIQUE

Numéro de publication WO/2007/142894
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/012534
Date du dépôt international 25.05.2007
CIB
H01L 21/335 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
H01L 21/8232 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
CPC
H01L 21/28264
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
28264the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being a III-V compound
H01L 29/517
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
49Metal-insulator-semiconductor electrodes, ; e.g. gates of MOSFET
51Insulating materials associated therewith
517the insulating material comprising a metallic compound, e.g. metal oxide, metal silicate
Déposants
  • PURDUE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 3000 Kent Avenue West Lafayette, IN 47906, US (AllExceptUS)
  • YE, Peide [CN/US]; US (UsOnly)
  • XUAN, Yi [CN/US]; US (UsOnly)
  • LIN, Han, Chung [--/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • YE, Peide; US
  • XUAN, Yi; US
  • LIN, Han, Chung; US
Mandataires
  • ADDISON, Bradford, G.; Barnes & Thornburg Llp 11 South Meridian Street Indianapolis, IN 46204, US
Données relatives à la priorité
60/809,19530.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS AND METHOD OF FORMING A MOSFET WITH ATOMIC LAYER DEPOSITED GATE DIELECTRIC
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN MOSFET AVEC UN DIÉLECTRIQUE DE GÂCHETTE DÉPOSÉ EN COUCHE ATOMIQUE
Abrégé
(EN)
A method for forming a metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) (100) includes forming a III- V compound semiconductor on a substrate (106) with the IH-V compound semiconductor being doped with a first dopant type. The method further includes doping a first and second region of the III- V compound semiconductor with a second dopant type to form a drain (110) and a source (108) of the MOSFET (100). The method further includes forming a gate dielectric (103) on the HI-V compound semiconductor through atomic layer deposition. The method further includes applying a metal onto the dielectric (103) to form a gate (118) of the MOSFET. A MOSFET (100) is also disclosed herein.
(FR)
Le procédé selon l'invention de réalisation d'un transistor à effet de champ semi-conducteur métal-oxyde (MOSFET) (100) consiste à réaliser un semi-conducteur composé des groupes III-V sur un substrat (106), le semi-conducteur composé des groupes IH-V étant dopé avec un premier type de dopant. Le procédé consiste en outre à doper une première et une seconde zone du semi-conducteur composé des groupes III-V avec un second type de dopant pour constituer un drain (110) et une source (108) du MOSFET (100). Le procédé consiste en outre à appliquer un diélectrique de gâchette (103) sur le semi-conducteur composé des groupes HI-V par dépôt de couche atomique. Le procédé consiste en outre à appliquer un métal sur le diélectrique (103) pour constituer une gâchette (118) du MOSFET. La présente invention concerne aussi un MOSFET.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international