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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007142788 - RÉsine photosensible pour ablation laser

Numéro de publication WO/2007/142788
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/011626
Date du dépôt international 15.05.2007
CIB
G03F 1/00 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
B23K 26/40 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
36Enlèvement de matière
40en tenant compte des propriétés du matériau à enlever
CPC
G03F 1/00
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Y10S 430/145
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
430Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
145Infrared
Y10S 430/146
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
430Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
146Laser beam
Déposants
  • EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street Rochester, New York 14650-2201, US (AllExceptUS)
  • PHILLIPS, Scott E. [US/US]; US (UsOnly)
  • TREDWELL, Timothy John [US/US]; US (UsOnly)
  • TUTT, Lee W. [US/US]; US (UsOnly)
  • PEARCE, Glenn Thomas [US/US]; US (UsOnly)
  • NGUYEN, Kelvin [US/US]; US (UsOnly)
  • WEXLER, Ronald Myron [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • PHILLIPS, Scott E.; US
  • TREDWELL, Timothy John; US
  • TUTT, Lee W.; US
  • PEARCE, Glenn Thomas; US
  • NGUYEN, Kelvin; US
  • WEXLER, Ronald Myron; US
Représentant commun
  • EASTMAN KODAK COMPANY; 343 State Street Rochester, New York 14650-2201, US
Données relatives à la priorité
11/420,81730.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LASER ABLATION RESIST
(FR) RÉsine photosensible pour ablation laser
Abrégé
(EN)
A method of making micro-structure devices by coating a first layer of resist (12) on a substrate (10). A pattern is created on the substrate by radiation induced thermal removal of the resist.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs microstructurés par dépôt d'une première couche de résine photosensible (12) sur un substrat (10). Un motif est créé sur le substrat par retrait thermique induit par irradiation de la résine photosensible.
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