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Paramétrages

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1. WO2007142350 - PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIFS, PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS

Numéro de publication WO/2007/142350
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/061709
Date du dépôt international 11.06.2007
CIB
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70283
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70283Masks or their effects on the imaging process, e.g. Fourier masks, greyscale masks, holographic masks, phase shift masks, phasemasks, lenticular masks, multiple masks, tilted masks, tandem masks
G03F 7/70291
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70283Masks or their effects on the imaging process, e.g. Fourier masks, greyscale masks, holographic masks, phase shift masks, phasemasks, lenticular masks, multiple masks, tilted masks, tandem masks
70291Addressable masks
G03F 7/70508
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
70508Data handling, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. addressable masks
H01L 21/0274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
H01L 21/0275
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
0275using lasers
Déposants
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 〒1008331 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 Tokyo 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331, JP (AllExceptUS)
  • 蛭川 茂 HIRUKAWA, Shigeru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 大和 壮一 OWA, Soichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 蛭川 茂 HIRUKAWA, Shigeru; JP
  • 大和 壮一 OWA, Soichi; JP
Mandataires
  • 立石 篤司 TATEISHI, Atsuji; 〒2060035 東京都多摩市唐木田一丁目53番地9 唐木田センタービル 立石国際特許事務所 Tokyo TATEISHI & CO. Karakida Center Bldg., 1-53-9 Karakida, Tama-shi Tokyo 206-0035, JP
Données relatives à la priorité
2006-16088609.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMATION DEVICE, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIFS, PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS
(JA) パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
Abrégé
(EN)
According to pattern design data and pattern combination information stored in a memory (33), a drive system (30) decides a basic pattern combination (types of basic patterns to be generated and the number of pulses of each of the basic patterns). In accordance with the decision result, each of micro mirrors in a variable molding mask (VM) is individually controlled so that a plurality of basic patterns are successively generated according to the respective numbers of pulses. Each of the basic patterns generated by the variable molding mask (VM) is successively focused on a plate (P) via a projection optical system (PL). Thus, a pattern of a desired line width based on the design data is accurately formed at a desired position on an object.
(FR)
Selon l'invention, un système de commande (30) détermine, en fonction de données de conception de motifs et d'informations de combinaison de motifs stockées dans une mémoire (33), une combinaison de motifs de base (types de motifs de base devant être générés et nombre d'impulsions de chacun des motifs de base). En accord avec le résultat de ladite détermination, chacun des micromiroirs d'un masque de moulage variable (VM) est commandé individuellement de manière que soit générée successivement une pluralité de motifs de base d'après les nombres respectifs d'impulsions. Chaque motif de base généré par le masque de moulage variable (VM) est dirigé successivement sur une plaque (P) par l'intermédiaire d'un système optique de projection (PL). Ledit procédé permet de former avec précision, à une position désirée sur un objet, un motif présentant une largeur de ligne désirée en fonction des données de conception.
(JA)
 駆動系(30)により、パターンの設計データとメモリ(33)に格納されているパターン組み合わせ情報とに基づいて、基本パターンの組み合わせ(発生させる基本パターンの種類と各基本パターンのパルス数)が決定される。そして、その決定結果に基づいて、複数の基本パターンがそれぞれのパルス数に応じて順次生成されるように可変成形マスク(VM)の各マイクロミラーが個別に制御され、可変成形マスク(VM)で生成された各基本パターンは、投影光学系(PL)を介して、プレート(P)上に順次結像される。これにより、設計データに対応した所望の線幅のパターンが物体上の所望の位置に精度良く形成される。
Également publié en tant que
US12330870
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