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Paramétrages

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1. WO2007142238 - ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE L'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2007/142238
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/061381
Date du dépôt international 05.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 02.04.2008
CIB
H01L 21/368 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
368en utilisant un dépôt liquide
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 51/05 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 51/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
C30B 29/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
54Organic compounds
C30B 7/005
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
7Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
005Epitaxial layer growth
H01L 51/0003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0003using liquid deposition, e.g. spin coating
H01L 51/0545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0545Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed after the gate electrode
H01L 51/0558
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0558characterised by the channel of the transistor
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • 美濃規央 MINO, Norihisa; null (UsOnly)
  • 竹内孝之 TAKEUCHI, Takayuki; null (UsOnly)
  • 北岡康夫 KITAOKA, Yasuo; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 美濃規央 MINO, Norihisa; null
  • 竹内孝之 TAKEUCHI, Takayuki; null
  • 北岡康夫 KITAOKA, Yasuo; null
Mandataires
  • 鎌田耕一 KAMADA, Koichi; 〒5300047 大阪府大阪市北区西天満4丁目3番1号トモエマリオンビル7階 Osaka 7th Fl., TOMOE MARION BLDG. 4-3-1, Nishitenma Kita-ku, Osaka-shi Osaka 530-0047, JP
Données relatives à la priorité
2006-15906207.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR ELEMENT, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE L'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体素子およびその製造方法ならびに電子デバイスおよびその製造方法
Abrégé
(EN)
A manufacturing method is provided for manufacturing a semiconductor element having a semiconductor layer including a crystal of an organic semiconductor material. The manufacturing method includes (i) a step of forming a frame (12) on a substrate (base material) (11), and (ii) a step of forming a semiconductor layer (crystal (13)) inside of the frame (12). The step (ii) includes a crystal forming step wherein a solution (21) (liquid) containing the organic semiconductor material and a liquid medium is arranged inside of the frame (12) and a crystal (13) is formed from the solution (21).
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur comportant une couche semi-conductrice comprenant un cristal de matériau semi-conducteur organique. Le procédé de fabrication comprend (i) une étape consistant à réaliser un cadre (12) sur un substrat (matériau de base) (11), et (ii) une étape consistant à réaliser une couche semi-conductrice (cristal (13)) à l'intérieur du cadre (12). L'étape (ii) comprend une étape de constitution de cristal, une solution (21) (liquide) contenant le matériau semi-conducteur organique et un liquide étant disposée à l'intérieur du cadre (12) et un cristal (13) se formant à partir de la solution (21).
(JA)
 本発明の製造方法は、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法である。この製造方法は、(i)基板(基材)11上に枠体12を形成する工程と、(ii)枠体12の内側に半導体層(結晶13)を形成する工程とを含む。工程(ii)は、有機半導体材料と液媒体とを含む溶液21(液体)を枠体12の内側に配置し、溶液21から結晶13を形成する結晶形成工程を含む。
Également publié en tant que
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