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Paramétrages

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1. WO2007142138 - MRAM UTILISANT UNE CELLULE 2T2MTJ

Numéro de publication WO/2007/142138
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/061189
Date du dépôt international 01.06.2007
CIB
G11C 11/15 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 21/8246 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
G11C 11/1655
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1653Address circuits or decoders
1655Bit-line or column circuits
G11C 11/1657
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1653Address circuits or decoders
1657Word-line or row circuits
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1673
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1673Reading or sensing circuits or methods
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
Déposants
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
  • 崎村 昇 SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 本田 雄士 HONDA, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 杉林 直彦 SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 崎村 昇 SAKIMURA, Noboru; JP
  • 本田 雄士 HONDA, Takeshi; JP
  • 杉林 直彦 SUGIBAYASHI, Tadahiko; JP
Mandataires
  • 工藤 実 KUDOH, Minoru; 〒1400013 東京都品川区南大井六丁目24番10号カドヤビル6階 Tokyo 6F, KADOYA BLDG. 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1400013, JP
Données relatives à la priorité
2006-15935308.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MRAM USING 2T2MTJ CELL
(FR) MRAM UTILISANT UNE CELLULE 2T2MTJ
(JA) 2T2MTJセルを用いたMRAM
Abrégé
(EN)
A magnetic random access memory comprises a plurality of first wires and a plurality of second wires extending in a first direction; a plurality of third wires and a plurality of fourth wires extending in a second direction; and a plurality of memory cells placed at intersections between the plurality of first wires and the plurality of third wires. The plurality of memory cells each comprise first and second transistors that are connected in series between the first and second wires and controlled by a signal of the third wire; a first magnetic resistor element one end of which is connected to a write wire connecting the first transistor to the second transistor and the other end of which is grounded; and a second magnetic resistor element one end of which is connected to the write wire and the other end of which is connected to the fourth wire.
(FR)
L'invention concerne une mémoire magnétique à accès aléatoire qui comprend plusieurs premiers fils et plusieurs deuxièmes fils s'étendant dans une première direction; plusieurs troisièmes fils et plusieurs quatrièmes fils s'étendant dans une seconde direction; et plusieurs cellules de mémoire placées aux intersections des premiers et des troisièmes fils. Chacune des cellules de mémoire comprend des premier et second transistors reliés en série entre les premiers et deuxièmes fils et commandés par un signal du troisième fil; un premier élément de résistance magnétique dont une extrémité est reliée à un fil d'écriture reliant le premier transistor au second et dont l'autre extrémité est mise à la terre; et un second élément de résistance magnétique dont une extrémité est reliée à un fil d'écriture et l'autre à un quatrième fil.
(JA)
 本発明による磁気ランダムアクセスメモリは、第1方向へ延在する複数の第1配線及び複数の第2配線と、第2方向へ延在する複数の第3配線及び複数の第4配線と、前記複数の第1配線と前記複数の第3配線との交点の各々に対応して設けられた複数のメモリセルとを具備する。前記複数のメモリセルの各々は、前記第1配線と前記第2配線との間に直列に接続され、前記第3配線の信号で制御される第1トランジスタ及び第2トランジスタと、一端を前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとをつなぐ書き込み配線に、他端を接地に接続された第1磁気抵抗素子と、一端を前記書き込み配線に、他端を前記第4配線に接続された第2磁気抵抗素子とを含む。
Également publié en tant que
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