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Paramétrages

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1. WO2007142043 - FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE UTILISABLE DANS LA PRODUCTION

Numéro de publication WO/2007/142043
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060615
Date du dépôt international 24.05.2007
CIB
H01B 5/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
5Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
14comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
C04B 35/457 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
04CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
BCHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01à base d'oxydes
453à base d'oxydes de zinc, d'étain ou de bismuth ou de leurs solutions solides avec d'autres oxydes, p.ex. zincates, stannates ou bismuthates
457à base d'oxydes d'étain ou de stannates
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
G02F 1/1343 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333Dispositions relatives à la structure
1343Electrodes
H01B 13/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
13Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
C01G 19/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
19Composés de l'étain
02Oxydes
CPC
C01G 19/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
19Compounds of tin
C23C 14/086
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
086of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
G02F 1/13439
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
1343Electrodes
13439characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Déposants
  • 旭硝子株式会社 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 〒1008405 東京都千代田区有楽町一丁目12番1号 Tokyo 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405, JP (AllExceptUS)
  • 小高 秀文 ODAKA, Hidefumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 光井 彰 MITSUI, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 小高 秀文 ODAKA, Hidefumi; JP
  • 光井 彰 MITSUI, Akira; JP
Mandataires
  • 泉名 謙治 SENMYO, Kenji; 〒1010035 東京都千代田区神田紺屋町17番地 SIA神田スクエア4階 Tokyo 4th Floor, SIA Kanda Square 17, Kanda-konyacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010035, JP
Données relatives à la priorité
2006-15751506.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SPUTTERING TARGET FOR USE IN THE PRODUCTION
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE UTILISABLE DANS LA PRODUCTION
(JA) 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット
Abrégé
(EN)
A transparent conductive film which has high resistance to erosion by a glass frit and suffers no increase in electrical resistance even when burned in the state of being in contact with a glass frit; and a process for producing the film. The transparent conductive film comprises tin oxide as the main component, and is characterized in that the transparent conductive film contains one or more elements selected from the group consisting of tungsten, tantalum, niobium, molybdenum, and bismuth as a dopant and substantially contains neither antimony nor indium. It is further characterized in that when the total amount of the element(s) contained as a dopant in the transparent conductive film is expressed by MA and the amount of tin element contained in the transparent conductive film is expressed by Sn, the film satisfies the following relationships (1) and (2). 0.8<(Sn)/(Sn+MA)<1.0 (1) 0.01<(MA)/(Sn+MA)<0.2 (2)
(FR)
La présente invention concerne un film conducteur transparent qui présente une résistance élevée à l'érosion par une fritte de verre et dont la résistance électrique ne subit aucune augmentation même quand il est brûlé par le contact avec une fritte de verre, ainsi qu'un procédé de production du film. Selon l'invention, le film conducteur transparent comprend un oxyde d'étain en tant que composant principal et il est caractérisé par le fait que le film conducteur transparent contient en tant que dopants un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe comprenant le tungstène, le tantale, le niobium, le molybdène et le bismuth et qu'il ne contient pratiquement pas d'antimoine ni d'indium. Il est caractérisé en outre par le fait que, lorsque la quantité totale du ou des éléments contenus en tant que dopants dans le film conducteur transparent est exprimée par MA et que la quantité de l'élément étain contenue dans le film conducteur transparent est exprimée par Sn, le film satisfait aux relations (1) et (2) suivantes. 0,8 < (Sn)/(Sn+MA) < 1,0 (1) 0,01 < (MA)/(Sn+MA) < 0,2 (2)
(JA)
 ガラスフリットの侵食に対して強い耐性を持ち、ガラスフリット接触した状態で焼成しても電気抵抗が増加することのない透明導電膜およびその製造方法を提供する。  酸化スズを主成分とする透明導電膜であって、前記透明導電膜は、タングステン、タンタル、ニオブ、モリブデンおよびビスマスからなる群から選択される少なくとも一つ以上の元素をドーパントとして含み、アンチモンおよびインジウムを実質的に含まず、 前記透明導電膜中にドーパントとして含まれる前記元素の総量をMA、前記透明導電膜に含まれるスズ元素の量をSnとした場合に、下記式(1),(2)を満たすことを特徴とする透明導電膜。 0.8 < (Sn)/(Sn+MA) < 1.0  ・・・(1) 0.01 < (MA)/(Sn+MA) < 0.2 ・・・(2)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international