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1. (WO2007142043) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE UTILISABLE DANS LA PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/142043    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060615
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 24.05.2007
CIB :
H01B 5/14 (2006.01), C04B 35/457 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), C01G 19/02 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
ODAKA, Hidefumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MITSUI, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ODAKA, Hidefumi; (JP).
MITSUI, Akira; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square 17, Kanda-konyacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-157515 06.06.2006 JP
Titre (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SPUTTERING TARGET FOR USE IN THE PRODUCTION
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE UTILISABLE DANS LA PRODUCTION
(JA) 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット
Abrégé : front page image
(EN)A transparent conductive film which has high resistance to erosion by a glass frit and suffers no increase in electrical resistance even when burned in the state of being in contact with a glass frit; and a process for producing the film. The transparent conductive film comprises tin oxide as the main component, and is characterized in that the transparent conductive film contains one or more elements selected from the group consisting of tungsten, tantalum, niobium, molybdenum, and bismuth as a dopant and substantially contains neither antimony nor indium. It is further characterized in that when the total amount of the element(s) contained as a dopant in the transparent conductive film is expressed by MA and the amount of tin element contained in the transparent conductive film is expressed by Sn, the film satisfies the following relationships (1) and (2). 0.8<(Sn)/(Sn+MA)<1.0 (1) 0.01<(MA)/(Sn+MA)<0.2 (2)
(FR)La présente invention concerne un film conducteur transparent qui présente une résistance élevée à l'érosion par une fritte de verre et dont la résistance électrique ne subit aucune augmentation même quand il est brûlé par le contact avec une fritte de verre, ainsi qu'un procédé de production du film. Selon l'invention, le film conducteur transparent comprend un oxyde d'étain en tant que composant principal et il est caractérisé par le fait que le film conducteur transparent contient en tant que dopants un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe comprenant le tungstène, le tantale, le niobium, le molybdène et le bismuth et qu'il ne contient pratiquement pas d'antimoine ni d'indium. Il est caractérisé en outre par le fait que, lorsque la quantité totale du ou des éléments contenus en tant que dopants dans le film conducteur transparent est exprimée par MA et que la quantité de l'élément étain contenue dans le film conducteur transparent est exprimée par Sn, le film satisfait aux relations (1) et (2) suivantes. 0,8 < (Sn)/(Sn+MA) < 1,0 (1) 0,01 < (MA)/(Sn+MA) < 0,2 (2)
(JA) ガラスフリットの侵食に対して強い耐性を持ち、ガラスフリット接触した状態で焼成しても電気抵抗が増加することのない透明導電膜およびその製造方法を提供する。  酸化スズを主成分とする透明導電膜であって、前記透明導電膜は、タングステン、タンタル、ニオブ、モリブデンおよびビスマスからなる群から選択される少なくとも一つ以上の元素をドーパントとして含み、アンチモンおよびインジウムを実質的に含まず、 前記透明導電膜中にドーパントとして含まれる前記元素の総量をMA、前記透明導電膜に含まれるスズ元素の量をSnとした場合に、下記式(1),(2)を満たすことを特徴とする透明導電膜。 0.8 < (Sn)/(Sn+MA) < 1.0  ・・・(1) 0.01 < (MA)/(Sn+MA) < 0.2 ・・・(2)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)