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Paramétrages

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1. WO2007142038 - dispositif semi-conducteur

Numéro de publication WO/2007/142038
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060563
Date du dépôt international 17.05.2007
CIB
H01L 25/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 25/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
CPC
H01L 2224/371
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
37of an individual strap connector
37001Core members of the connector
37099Material
371with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
H01L 2224/40137
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
40of an individual strap connector
401Disposition
40135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
40137the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
H01L 2224/451
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
45of an individual wire connector
45001Core members of the connector
45099Material
451with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48137
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
48137the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
H01L 2224/48247
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48245the item being metallic
48247connecting the wire to a bond pad of the item
Déposants
  • 本田技研工業株式会社 HONDA MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 〒1078556 東京都港区南青山二丁目1番1号 Tokyo 1-1, Minami-Aoyama 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1078556, JP (AllExceptUS)
  • 高野 文朋 TAKANO, Fumitomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 渡邉 信也 WATANABE, Shinya [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 合葉 司 AIBA, Tsukasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 大塚 浩 OTSUKA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 中島 穣二 NAKASHIMA, Joji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 高野 文朋 TAKANO, Fumitomo; JP
  • 渡邉 信也 WATANABE, Shinya; JP
  • 合葉 司 AIBA, Tsukasa; JP
  • 大塚 浩 OTSUKA, Hiroshi; JP
  • 中島 穣二 NAKASHIMA, Joji; JP
Mandataires
  • 下田 容一郎 SHIMODA, Yo-ichiro; 〒1070052 東京都港区赤坂1丁目1番12号 明産溜池ビル Tokyo Meisan Tameike Bldg., 1-12, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité
2006-16161609.06.2006JP
2006-16161809.06.2006JP
2006-27690610.10.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) dispositif semi-conducteur
(JA) 半導体装置
Abrégé
(EN)
A semiconductor device is composed of a pair of semiconductor chips (402, 404) arranged parallel on the same flat plane; a high voltage bus bar (21) bonded on the surface on the collector side of one semiconductor chip (402); a low voltage bus bar (23) connected to the surface on the emitter side of the other semiconductor chip (404) with a bonding wire (27); a first metal wiring board (24-1) connected to the surface on the emitter side of the semiconductor chip (402) with a bonding wire (26); a second metal wiring board (24-2) bonded on the surface on the collector side of the semiconductor chip (404); a third metal wiring board (24-3) connected to the first metal wiring board (24-1); a fourth metal wiring board (24-4) connected by being bent from an end portion of the second metal wiring board (24-2); and an output bus bar (24) having output terminals (405) extending from each end portion of the third metal wiring board (24-3) and that of the fourth metal wiring board (24-4).
(FR)
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur composé d'une paire de puces semi-conductrices (402, 404) disposées parallèlement sur le même plan plat; d'un bus d'alimentation haute tension (21) collé à la surface sur le côté collecteur d'une puce semi-conductrice (402); d'un bus d'alimentation basse tension (23) connecté à la surface sur le côté émetteur de l'autre puce semi-conductrice (404) avec un fil de métallisation (27); d'un premier tableau de connexions de métal (24-1) connecté à la surface sur le côté émetteur de la puce semi-conductrice (402) avec un fil de métallisation (26); d'un deuxième tableau de connexions de métal (24-2) collé à la surface sur le côté collecteur de la puce semi-conductrice (404); d'un troisième tableau de connexions de métal (24-3) connecté au premier tableau de connexions de métal (24-1); d'un quatrième tableau de connexions de métal (24-4) connecté en étant recourbé à partir d'une partie d'extrémité du deuxième tableau de connexions de métal (24-2); et d'un bus d'alimentation de sortie (24) présentant des bornes de sortie (405) s'étendant de chaque partie d'extrémité du troisième tableau de connexions de métal (24-3) et de celles du quatrième tableau de connexions de métal (24-4).
(JA)
半導体装置は、同一平面上に並置した一対の半導体チップ(402,404)と、一方の半導体チップ(402)のコレクタ側の面に接合される高圧バスバー(21)と、他方の半導体チップ(404)のエミッタ側の面にボンディングワイヤ(27)で接続される低圧バスバー(23)と、一方の半導体チップ(402)のエミッタ側の面にボンディングワイヤ(26)で接続される第1金属配線板(24-1)と、他方の半導体チップ(404)のコレクタ側の面に接合される第2金属配線板(24-2)と、第1金属配線板(24-1)に連結される第3金属配線板(24-3)と、第2金属配線板(24-2)の端部から折り返して連結される第4金属配線板(24-4)と、第3金属配線板(24-3)と第4金属配線板(24-4)のそれぞれの端部から延在する出力端子(405)を有する出力バスバー(24)と、から成る。
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