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Paramétrages

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1. WO2007141738 - STRUCTURE DE FUSIBLE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE FUSIBLE SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2007/141738
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/IB2007/052125
Date du dépôt international 06.06.2007
CIB
H01L 23/525 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525avec des interconnexions modifiables
CPC
H01L 23/5256
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
525with adaptable interconnections
5256comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven, NL (AllExceptUS)
  • RAVIT, Claire [FR/BE]; NL (UsOnly)
  • DOORN, Tobias, S. [NL/NL]; NL (UsOnly)
Inventeurs
  • RAVIT, Claire; NL
  • DOORN, Tobias, S.; NL
Mandataires
  • PENNINGS, Johannes, F., M.; c/o NXP Semiconductors IP Department HTC 60 1.31 Prof Holstlaan 4 NL-5656 AG Eindhoven , NL
Données relatives à la priorité
06115191.609.06.2006EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A SEMICONDUCTOR FUSE STRUCTURE AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR FUSE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE FUSIBLE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE FUSIBLE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
The invention relates to a semiconductor fuse structure comprising a substrate (1) having a surface, the substrate (1) having a field oxide region (3) at the surface, the fuse structure further comprising a fuse body (FB), the fuse body (FB) comprising polysilicon (PLY), the fuse body (FB) lying over the field oxide region (3) and extending into a current- flow direction (CF), wherein the fuse structure is programmable by means of leading a current through the fuse body (FB), wherein the fuse body (FB) has a tensile strain in the current-flow direction (CF) and a compressive strain in a direction (Z) perpendicular to said surface of the substrate (1). The invention further relates to methods of manufacturing such a semiconductor fuse.
(FR)
L'invention concerne une structure de fusible semi-conducteur comprenant un substrat (1) comportant une surface, le substrat (1) comportant une zone d'oxyde de champ (3) sur la surface, la structure de fusible comprenant en outre un corps de fusible (FB), le corps de fusible (FB) comprenant du polysilicium (PLY), le corps de fusible (FB) étant disposé sur la zone d'oxyde de champ (3) et s'étendant dans une direction de circulation de courant (CF), la structure de fusible étant programmable en dirigeant un courant à travers le corps de fusible (FB), le corps de fusible (FB) étant soumis à une contrainte de traction dans la direction de circulation du courant (CF) et à une contrainte de compression dans une direction (Z) perpendiculaire à ladite surface du substrat (1). L'invention concerne en outre des procédés de fabrication d'un tel fusible semi-conducteur.
Également publié en tant que
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