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Paramétrages

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1. WO2007140738 - STRUCTURE À PUITS QUANTIQUES MULTIPLE, CORPS SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET COMPOSANT ÉMETTANT UN RAYONNEMENT

Numéro de publication WO/2007/140738
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/DE2007/000805
Date du dépôt international 04.05.2007
CIB
H01L 33/06 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
  • STAUSS, Peter [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • STAUSS, Peter; DE
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Données relatives à la priorité
10 2006 025 964.502.06.2006DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) MEHRFACHQUANTENTOPFSTRUKTUR, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT
(EN) MULTIPLE QUANTUM-WELL STRUCTURE, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BASE AND RADIATION-EMITTING COMPONENT
(FR) STRUCTURE À PUITS QUANTIQUES MULTIPLE, CORPS SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET COMPOSANT ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
Abrégé
(DE)
Beschrieben ist eine Mehrfachquantentopfstruktur (1), die mindestens eine erste Quantentopfstruktur (2a) zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge (6) und mindestens eine zweite Quantentopfstruktur (2b) zur Erzeugung von Strahlung einer zweiten Wellenlänge (7) umfasst, die größer ist als die erste Wellenlänge (6), und die zur Emission von Strahlung einer Hauptwellenlänge (14) vorgesehen ist, wobei sich die zweite Wellenlänge (7) derart von der ersten Wellenlänge (6) unterscheidet, dass sich die Hauptwellenlänge (14) bei einer Verschiebung der ersten Wellenlänge (6) und der zweiten Wellenlänge (7) nur um einen vorgegebenen Höchstwert ändert. Ferner sind ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper und ein strahlungsemittierendes Bauelement beschrieben.
(EN)
Disclosed is a multiple quantum-well structure (1), which comprises at least a first quantum-well structure (2a) for generating radiation of a first wavelength (6) and at least a second quantum-well structure (2b) for generating radiation of a second wavelength (7) that is greater than the first wavelength (6), and which is intended for emission of radiation of a primary wavelength (14), wherein the second wavelength (7) differs from the first wavelength (6) in such a way that the primary wavelength (14) changes only by a specified maximum value on occurrence of a shift in the first wavelength (6) and the second wavelength (7). Additionally, a radiation-emitting semiconductor base and a radiation-emitting component are disclosed.
(FR)
L'invention concerne une structure à puits quantiques multiple (1), qui comprend au moins une première structure à puits quantiques (2a) pour générer un rayonnement d'une première longueur d'onde (6) et au moins une deuxième structure à puits quantiques (2b) pour générer un rayonnement d'une deuxième longueur d'onde (7), laquelle est supérieure à la première longueur d'onde (6), et qui est conçue pour émettre un rayonnement d'une longueur d'onde principale (14), la deuxième longueur d'onde (7) se distinguant de telle manière de la première longueur d'onde (6) que la longueur d'onde principale (14) ne varie que d'une valeur maximale prédéterminée lors d'un déplacement de la première longueur d'onde (6) et de la deuxième longueur d'onde (7). L'invention concerne également un corps semi-conducteur émettant un rayonnement et un composant émettant un rayonnement.
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