WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007140421) CHAMBRE DE TRAITEMENT DESTINÉE À LA RÉPARTITION D'ESPACE DIÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/140421    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/069996
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 30.05.2007
CIB :
C23F 1/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), C23C 16/22 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C23C 16/48 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/36 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
LUBOMIRSKY, Dmitry [IL/US]; (US) (US Seulement).
LIANG, Qiwei [US/US]; (US) (US Seulement).
PARK, Soonam [QA/US]; (US) (US Seulement).
CHUC, Kien, N [US/US]; (US) (US Seulement).
YIEH, Ellie [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LUBOMIRSKY, Dmitry; (US).
LIANG, Qiwei; (US).
PARK, Soonam; (US).
CHUC, Kien, N; (US).
YIEH, Ellie; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene; Townsend and Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, Eighth Floor, San Francisco, CA 94111-3834, (US)
Données relatives à la priorité :
60/803,499 30.05.2006 US
11/754,858 29.05.2007 US
Titre (EN) PROCESS CHAMBER FOR DIELECTRIC GAPFILL
(FR) CHAMBRE DE TRAITEMENT DESTINÉE À LA RÉPARTITION D'ESPACE DIÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A system (100) to form a dielectric layer on a substrate from a plasma of dielectric precursors is described. The system (100) may include a deposition chamber (201 ), a substrate stage in the deposition chamber (201 ) to hold the substrate, and a remote plasma generating system coupled to the deposition chamber (201 ), where the plasma generating system is used to generate a dielectric precursor having one or more reactive radicals. The system (100) may also include a precursor distribution system (700) comprising dual-channel showerhead (700) positioned above the substrate stage. The showerhead (700) may have a faceplate (802) with a first set of openings (804) through which the reactive radical precursor enters the deposition chamber (201 ), and a second set of openings (806) through which a second dielectric precursor enters the deposition chamber (201 ). An in-situ plasma generating system may als be included to generate the plasma in the deposition chamber (201 ) from the dielectric precursors supplied to the deposition chambe (201).
(FR)L'invention concerne un système permettant de former une couche diélectrique sur un substrat à partir d'un plasma de précurseurs diélectriques. Le système peut comprendre une chambre de dépôt, un étage de substrats situé dans la chambre de dépôt pour maintenir le substrat et un système de génération de plasma éloigné couplé à la chambre de dépôt, le système de génération de plasma étant utilisé pour générer un précurseur diélectrique ayant un ou plusieurs radicaux réactifs. Le système peut également comprendre un système de réchauffement par rayonnement destiné à chauffer le substrat, qui comprend au moins une source lumineuse, au moins une partie de la lumière émise depuis la source lumineuse voyageant dans le côté supérieur de la chambre de dépôt avant d'atteindre le substrat. Le système peut également comprendre un système de répartition du précurseur destiné à introduire le précurseur radical réactif et les précurseurs diélectriques supplémentaires dans la chambre de dépôt. Un système de génération de plasma in-situ peut également être introduit dans le système pour générer le plasma dans la chambre de dépôt à partir des précurseurs diélectriques fournis à la chambre de dépôt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)