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1. WO2007140144 - DÉCOUPAGE D'UNE PLAQUETTE DU CÔTÉ ARRIÈRE

Numéro de publication WO/2007/140144
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/069217
Date du dépôt international 18.05.2007
CIB
H01L 21/301 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
CPC
B23K 2103/50
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02B23K2103/26
B23K 26/04
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
04Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
B23K 26/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
40taking account of the properties of the material involved
B28D 5/0011
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
0005by breaking, e.g. dicing
0011with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
H01L 21/67092
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67092Apparatus for mechanical treatment
H01L 21/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Déposants
  • ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC. [US/US]; 13900 NW Science Park Drive Portland, Oregon 97229-5497, US (AllExceptUS)
  • HARRIS, Richard S. [US/US]; US (UsOnly)
  • LO, Ho W. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • HARRIS, Richard S.; US
  • LO, Ho W.; US
Mandataires
  • BARKER, Aaron D.; 201 So. Main Street, Suite 1100 One Utah Center Salt Lake City, Utah 84111, US
Données relatives à la priorité
11/441,45325.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BACK SIDE WAFER DICING
(FR) DÉCOUPAGE D'UNE PLAQUETTE DU CÔTÉ ARRIÈRE
Abrégé
(EN)
Systems and methods for scribing a semiconductor wafer (410) with reduced or no damage or debris to or on individual integrated circuits caused by the scribing process. The semiconductor wafer (410) is scribed from a back side (430) thereof. In one embodiment, the back side (430) of the wafer (410) is scribed following a back side grinding process but prior to removal of back side grinding tape (426). Thus, debris generated from the scribing process is prevented from being deposited on a top surface (412) of the wafer (410). To determine the location of dicing lanes or streets (424) relative to the back side (430) of the wafer (410), the top (412) side of the wafer (410) is illuminated with a light (434) configured to pass through the grinding tape (426) and the wafer (410). The light (434) is detected from the back side (430) of the wafer (410), and the streets are mapped relative to the back side (430). The back side (430) of the wafer (410) is then cut with a saw (444) or laser.
(FR)
La présente invention concerne des systèmes et procédés de découpage d'une plaquette semi-conductrice (410) dont les dommages et les débris causés par le processus de découpage sont réduits sur les circuits intégrés individuels. La plaquette semi-conductrice (410) est découpée depuis son côté arrière (430). Dans un mode de réalisation, le côté arrière (430) de la plaquette (410) est découpé suivant un processus de meulage du côté arrière mais avant de retirer la bande de meulage arrière (426). Cela permet d'éviter le dépôt de débris générés par le processus de meulage sur une surface supérieure (412) de la plaquette (410). Pour déterminer la position des chemins ou sillons de découpage (424) par rapport au côté arrière (430) de la plaquette (410), le côté supérieur (412) de la plaquette (410) est éclairé par une lumière (434) configurée pour traverser la bande de meulage (426) et la plaquette (410). La lumière (434) est détectée depuis le côté arrière (430) de la plaquette (410), et les sillons sont cartographiés par rapport au côté arrière (430). Le côté arrière (430) de la plaquette (410) est alors découpé à la scie (444) ou au laser.
Également publié en tant que
GB0821329.0
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