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1. WO2007139270 - PROCÉDÉ DE NETTOYAGE D'UN APPAREIL DE DÉPÔT DE FILM CONTENANT DU MÉTAL

Numéro de publication WO/2007/139270
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2007/000366
Date du dépôt international 22.01.2007
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
C23C 16/4405
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
Déposants
  • IPS LTD. [KR/KR]; 33, Jije-dong Pyungtaek Si, Gyeonggi-do 450-090, KR (AllExceptUS)
  • YOU, Dong-Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • LEE, Ki-Hoon [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • Jung, Yu-Min [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • YOU, Dong-Ho; KR
  • LEE, Ki-Hoon; KR
  • Jung, Yu-Min; KR
Mandataires
  • SONG, Kyeong-Keun; 12th Floor Daesung Building 1602-7 Seocho-dong Seocho-gu Seoul 137-953, KR
Données relatives à la priorité
10-2006-004791529.05.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CLEANING METHOD OF APPARATUS FOR DEPOSITING METAL CONTAINING FILM
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE D'UN APPAREIL DE DÉPÔT DE FILM CONTENANT DU MÉTAL
Abrégé
(EN)
Provided is a cleaning method of an apparatus for depositing a metal containing film using a metal organic (MO) source. A fluorine (F)-containing gas and a carbon (C) -eliminating gas are supplied to a reactor of the apparatus so that in-situ cleaning can be performed. A solid by-product is not generated in the method, and after a predetermined quantity of wafers is processed, in-situ cleaning can be performed without exposing the reactor to the air such that productivity of the apparatus is maximized.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de nettoyage d'un appareil de dépôt de film contenant du métal au moyen d'une source de métal organique. Un gaz contenant du fluor (F) et un gaz d'élimination de carbone (C) sont alimentés à un réacteur de l'appareil de sorte qu'un nettoyage in situ puisse être effectué. Aucun sous-produit solide n'est généré dans le procédé, et après le traitement d'une quantité prédéterminée de tranches, le nettoyage in situ peut être effectué sans exposer le réacteur à l'air de sorte que la productivité de l'appareil soit maximisée.
Également publié en tant que
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