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Paramétrages

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1. WO2007139245 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL PHOTONIQUE

Numéro de publication WO/2007/139245
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2006/002112
Date du dépôt international 01.06.2006
CIB
G02B 6/12 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10du type guide d'ondes optiques
12du genre à circuit intégré
CPC
B05D 5/06
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
5Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
06to obtain multicolour or other optical effects
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
G02B 6/1225
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
1225comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
G02B 6/132
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
13Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
132by deposition of thin films
Y10T 428/24942
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
24942including components having same physical characteristic in differing degree
Déposants
  • IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) [KR/KR]; 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu Seoul 133-791, KR (AllExceptUS)
  • PARK, In Sung [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • LEE, Tae Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • AHN, Jin Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • PARK, In Sung; KR
  • LEE, Tae Ho; KR
  • AHN, Jin Ho; KR
Mandataires
  • LEE, Hoon ; 649-14 Yeoksam Dong, Kangnam Gu Seoul 135-080, KR
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) MANUFACTURING METHOD OF PHOTONIC CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL PHOTONIQUE
Abrégé
(EN)
A manufacturing method of a photonic crystal is provided. In the method, a high-refractive-index material is conformally deposited on an exposed portion of a periodic template composed of a low-refractive-index material by an atomic layer deposition process so that a difference in refractive indices or dielectric constants between the template and adjacent air becomes greater, which makes it possible to form a three-dimensional photonic crystal having a superior photonic bandgap. Herein, the three-dimensional structure may be prepared by a layer-by- layer method.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un cristal photonique. Selon ce procédé, un matériau à indice de réfraction élevé est déposé de manière adaptée sur une partie exposée d'un modèle périodique composé d'un matériau à faible indice de réfraction au cours d'un processus de dépôt de couche atomique de manière à augmenter la différence entre les indices de réfraction ou les constantes électriques entre le modèle et l'air environnant, permettant de former un cristal photonique tridimensionnel présentant une bande interdite photonique supérieure. La structure tridimensionnelle peut être obtenue selon un procédé couche par couche.
Également publié en tant que
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