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1. (WO2007139015) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM, MOULE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MOULE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/139015    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060699
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 25.05.2007
CIB :
C23C 16/42 (2006.01), C03B 11/00 (2006.01), C23C 16/32 (2006.01)
Déposants : Konica Minolta Opto, Inc. [JP/JP]; 2970, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928505 (JP) (Tous Sauf US).
HOSOE, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUDA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HOSOE, Shigeru; (JP).
MATSUDA, Hiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-152187 31.05.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR FILM FORMATION, MOLD, AND METHOD FOR MANUFACTURING MOLD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM, MOULE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MOULE
(JA) 成膜方法、金型及び金型の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a method for film formation, which can form a film having no significant defect, a mold manufactured by using the method for film formation, and a method for manufacturing a mold. It has been found that a reduction in hydrogen gas as a carrier gas increases free carbon which is causative of an increase in occurrence of concave part in the working of a molding transfer face. Unlike the prior art technique in which the amount of hydrogen gas used in thermal CVD is 2 moles, studies conducted by the present inventor have revealed that, when the amount of the hydrogen gas is not less than 3 moles, the occurrence of the concave part can be significantly suppressed. The amount of the hydrogen gas is preferably up to about 8 moles from the practical standpoint, because, when the amount of the hydrogen gas is excessively large, the starting gas is diluted on the whole and, consequently, the reaction rate is lowered resulting in lowered film formation rate.
(FR)Cette invention concerne un procédé de formation d'un film permettant de former un film ne présentant aucun défaut significatif, un moule fabriqué à l'aide du procédé de formation de film, et un procédé de fabrication d'un moule. Il a été découvert qu'une réduction de l'hydrogène gazeux en tant que gaz support augmente la formation de carbone libre et augmente l'apparition d'une partie concave dans le façonnage d'une face de transfert de moulage. Contrairement à l'état antérieur de la technique dans lequel la quantité d'hydrogène gazeux utilisée dans la déposition en phase gazeuse par procédé chimique sous chauffage est de 2 moles, des études conduites pour la présente invention ont révélé que, lorsque la quantité de l'hydrogène gazeux n'est pas inférieure à 3 moles, l'apparition de la partie concave peut être significativement diminuée. La quantité de l'hydrogène gazeux peut aller, de préférence, jusqu'à environ 8 moles du point de vue pratique, parce que, lorsque la quantité de l'hydrogène gazeux est excessivement élevée, le gaz de départ est dilué dans sa totalité et, en conséquence, la vitesse de réaction est abaissée, conduisant à une moindre vitesse de formation de film.
(JA) 欠陥の少ない被膜を得ることができる成膜方法、及びその成膜方法を用いて得られる金型並びに金型の製造方法を提供する。キャリアガスである水素ガスを減少すると遊離炭素が増加し、その結果、成形転写面加工においては凹抉部が発生増大する原因となることを見出したのである。熱CVDに用いる水素ガスは2モルが常識であったのが、本発明者の研究により、3モル以上にすることで凹抉部の発生を顕著に抑制できることが判明したのである。ただし、あまり水素ガスを多くすると、全体に原料ガスが希釈されたことになるので反応速度が低下し、成膜速度が遅くなるので、8モル程度までが実用的な見地から好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)