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Paramétrages

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1. WO2007139015 - PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM, MOULE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MOULE

Numéro de publication WO/2007/139015
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060699
Date du dépôt international 25.05.2007
CIB
C23C 16/42 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
42Siliciures
C03B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
03VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
BFABRICATION OU FAÇONNAGE DU VERRE, DE LA LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES;  TRAITEMENTS ADDITIONNELS DANS LA FABRICATION OU LE FAÇONNAGE DU VERRE, DE LA LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
11Pressage du verre
C23C 16/32 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
32Carbures
CPC
C23C 16/042
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
042using masks
C23C 16/325
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
32Carbides
325Silicon carbide
C23C 16/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
56After-treatment
Déposants
  • コニカミノルタオプト株式会社 Konica Minolta Opto, Inc. [JP/JP]; 〒1928505 東京都八王子市石川町2970番地 Tokyo 2970, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928505, JP (AllExceptUS)
  • 細江 秀 HOSOE, Shigeru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松田 裕之 MATSUDA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 細江 秀 HOSOE, Shigeru; JP
  • 松田 裕之 MATSUDA, Hiroyuki; JP
Données relatives à la priorité
2006-15218731.05.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FILM FORMATION, MOLD, AND METHOD FOR MANUFACTURING MOLD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM, MOULE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MOULE
(JA) 成膜方法、金型及び金型の製造方法
Abrégé
(EN)
This invention provides a method for film formation, which can form a film having no significant defect, a mold manufactured by using the method for film formation, and a method for manufacturing a mold. It has been found that a reduction in hydrogen gas as a carrier gas increases free carbon which is causative of an increase in occurrence of concave part in the working of a molding transfer face. Unlike the prior art technique in which the amount of hydrogen gas used in thermal CVD is 2 moles, studies conducted by the present inventor have revealed that, when the amount of the hydrogen gas is not less than 3 moles, the occurrence of the concave part can be significantly suppressed. The amount of the hydrogen gas is preferably up to about 8 moles from the practical standpoint, because, when the amount of the hydrogen gas is excessively large, the starting gas is diluted on the whole and, consequently, the reaction rate is lowered resulting in lowered film formation rate.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de formation d'un film permettant de former un film ne présentant aucun défaut significatif, un moule fabriqué à l'aide du procédé de formation de film, et un procédé de fabrication d'un moule. Il a été découvert qu'une réduction de l'hydrogène gazeux en tant que gaz support augmente la formation de carbone libre et augmente l'apparition d'une partie concave dans le façonnage d'une face de transfert de moulage. Contrairement à l'état antérieur de la technique dans lequel la quantité d'hydrogène gazeux utilisée dans la déposition en phase gazeuse par procédé chimique sous chauffage est de 2 moles, des études conduites pour la présente invention ont révélé que, lorsque la quantité de l'hydrogène gazeux n'est pas inférieure à 3 moles, l'apparition de la partie concave peut être significativement diminuée. La quantité de l'hydrogène gazeux peut aller, de préférence, jusqu'à environ 8 moles du point de vue pratique, parce que, lorsque la quantité de l'hydrogène gazeux est excessivement élevée, le gaz de départ est dilué dans sa totalité et, en conséquence, la vitesse de réaction est abaissée, conduisant à une moindre vitesse de formation de film.
(JA)
 欠陥の少ない被膜を得ることができる成膜方法、及びその成膜方法を用いて得られる金型並びに金型の製造方法を提供する。キャリアガスである水素ガスを減少すると遊離炭素が増加し、その結果、成形転写面加工においては凹抉部が発生増大する原因となることを見出したのである。熱CVDに用いる水素ガスは2モルが常識であったのが、本発明者の研究により、3モル以上にすることで凹抉部の発生を顕著に抑制できることが判明したのである。ただし、あまり水素ガスを多くすると、全体に原料ガスが希釈されたことになるので反応速度が低下し、成膜速度が遅くなるので、8モル程度までが実用的な見地から好ましい。
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