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Paramétrages

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1. WO2007138958 - CIRCUIT ÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2007/138958
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060540
Date du dépôt international 23.05.2007
CIB
H01L 21/82 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
CPC
G11C 17/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
16using electrically-fusible links
G11C 17/18
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
18Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
H01L 23/5256
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
525with adaptable interconnections
5256comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • 三洋電機株式会社 SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 〒5708677 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 Osaka 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677, JP (AllExceptUS)
  • 竹本 弘毅 TAKEMOTO, Hiroki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 竹本 弘毅 TAKEMOTO, Hiroki; JP
Mandataires
  • 吉田 研二 YOSHIDA, Kenji; 〒1800004 東京都武蔵野市吉祥寺本町1丁目34番12号 Tokyo 34-12, Kichijoji-honcho 1-chome, Musashino-shi Tokyo 1800004, JP
Données relatives à la priorité
2006-14955130.05.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRICAL CIRCUIT
(FR) CIRCUIT ÉLECTRIQUE
(JA) 電気回路
Abrégé
(EN)
An electrical circuit is provided with a switching element (field effect transistor); a fuse element connected in series with the switching element for changing the resistance value of the switching element by having the switching element in conductive state; a comparator for changing an output signal when the terminal voltage of the fuse element is lower than a reference voltage and when it is at the reference voltage or higher; and a latch circuit for holding the change of the output signal from the comparator.
(FR)
L'invention concerne un circuit électrique avec un élément de commutation (transistor à effet de champ) ; un élément de fusible relié en série à l'élément de commutation pour changer la valeur de résistance de l'élément de commutation en maintenant celui-ci à l'état conducteur ; un comparateur pour changer un signal de sortie lorsque la tension aux bornes de l'élément de fusible est inférieure à une tension de référence et lorsqu'elle se situe au niveau de la tension de référence ou à un niveau supérieur; et un circuit de verrouillage pour retenir le changement du signal de sortie du comparateur.
(JA)
 スイッチング素子(電界効果トランジスタ)と、スイッチング素子と直列に接続され、スイッチング素子を導通状態とすることによってその抵抗値を変化させるヒューズ素子と、ヒューズ素子の端子電圧が基準電圧未満の場合と基準電圧以上の場合とにおいて出力信号を変化させるコンパレータと、コンパレータからの出力信号の変化を保持するラッチ回路と、を備える。
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